舒方 发表于 2022-10-1 20:06

美光的内存路线图搞到1ε了，这10nm看起来很难突破啊


据说每代内存工艺的缩小也越来越慢了。
https://www.tomshardware.com/news/micron-to-get-320-million-from-japanese-govt

suicaoya123 发表于 2022-10-1 20:09

是因为每次都是想指数级别切一半。自然越来越难。。。。。没听说从1纳米切0.5纳米。那就是同面积性能翻倍了。之前5纳米到2纳米。可不止一半了。。。没几个一半可以切了。进化到量子计算吧

ooff22 发表于 2022-10-1 21:13

关键还是积热吧..这个工艺越先进越能体现.

施主装B了 发表于 2022-10-1 22:54

ε 这是咋打出来的念啥

rx_78gp02a 发表于 2022-10-1 22:58

施主装B了 发表于 2022-10-1 22:54
ε 这是咋打出来的念啥

Epsilon    /ˈep.sə.lɑːn/

pcgsf22 发表于 2022-10-2 00:12

内存和逻辑电路不一样，内存本质是电容，太小了容易被干扰

舒方 发表于 2022-10-2 00:40

suicaoya123 发表于 2022-10-1 20:09
是因为每次都是想指数级别切一半。自然越来越难。。。。。没听说从1纳米切0.5纳米。那就是同面积性能翻倍了 ...

实际上20nm级别多数厂家只有两代，以前一代密度能提升很多，现在就少了。

Neo_Granzon 发表于 2022-10-2 01:24

pcgsf22 发表于 2022-10-2 00:12
内存和逻辑电路不一样，内存本质是电容，太小了容易被干扰

内存要是也像NAND一样做成3D结构就好了。

赫敏 发表于 2022-10-2 06:40

Neo_Granzon 发表于 2022-10-1 12:24
内存要是也像NAND一样做成3D结构就好了。

HBM就是啊
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