埃律西昂 发表于 2022-10-7 09:18

Igor说RTX 40的一开始的备案包括使用三星节点

本帖最后由 埃律西昂 于 2022-10-7 11:54 编辑

更新：Igor补正了表述，不再提到具体的8N工艺，而是模糊的说了“当前制程”。合理推测，应该比8N更新！
When I asked my source again, Samsung’s current node was mentioned as the reference for the 600 watts, but not explicitly the old 8 nm process.

来源： igor'sLAB


所以搞了个600W作为散热设计基准。

然后敲定TSMC 4N节点，4N体制也不错，所以现在的功耗还不算难看。

结果就是AIC认为现在的散热太浮夸了，至少能省10美元。

gbawrc 发表于 2022-10-7 09:44

mhmddb 发表于 2022-10-7 09:52

双槽不跃肩3风扇的啥时候能有

pc_based 发表于 2022-10-7 09:53

幸好没继续用三星的拉垮工艺了

zcjzcj11111 发表于 2022-10-7 09:55

明显是胡扯吧，应该是三星的5nm和4nm，就三星8nm的工艺制程，晶体管不变，核心面积至少是1200-1500mm的节奏了，不可能造出来的吧

醉酒棕熊 发表于 2022-10-7 09:55

操，老黄这次如果还用三丧工艺，我他M的坚决不买

sinopart 发表于 2022-10-7 10:15

所以现有非公和公版，都是按照600w设计的？

atiufo 发表于 2022-10-7 10:32

沿用三星8N的话，那架构必须得大改了，规模只能小幅度提升，否则怎么玩？

ylgtx 发表于 2022-10-7 11:11

760亿晶体管用三星8n能造？

liyichao97 发表于 2022-10-7 11:27

这怎么继续用，ga102都600多平方，再加一点规模的话光罩都不够大

神棍儿 发表于 2022-10-7 11:39

都3.5槽 3x11风扇 又越肩，何不双12风扇 卡短点
现在风扇默认满载不超60%卡也不热，三分之一镂空，感觉在做无用功

chenwen834 发表于 2022-10-7 11:39

用也是用三星的5nm，给膏通那个

埃律西昂 发表于 2022-10-7 11:45

本帖最后由 埃律西昂 于 2022-10-7 11:52 编辑

chenwen834 发表于 2022-10-7 11:39
用也是用三星的5nm，给膏通那个

我觉得要是samsung作为备案，那确实也应该是4LPX等新工艺。

所以Igor说备案是8N确实很奇怪。

果然更正了。

埃律西昂 发表于 2022-10-7 11:52

zcjzcj11111 发表于 2022-10-7 09:55
明显是胡扯吧，应该是三星的5nm和4nm，就三星8nm的工艺制程，晶体管不变，核心面积至少是1200-1500mm的节奏 ...

Igor再次问消息源后更新了补正，本帖对此也进行了更新。

埃律西昂 发表于 2022-10-7 11:53

atiufo 发表于 2022-10-7 10:32
沿用三星8N的话，那架构必须得大改了，规模只能小幅度提升，否则怎么玩？ ...

Igor再次问消息源后更新了补正，本帖对此也进行了更新。

埃律西昂 发表于 2022-10-7 11:53

ylgtx 发表于 2022-10-7 11:11
760亿晶体管用三星8n能造？

Igor再次问消息源后更新了补正，本帖对此也进行了更新。

chenwen834 发表于 2022-10-7 12:03

埃律西昂 发表于 2022-10-7 11:45
我觉得要是samsung作为备案，那确实也应该是4LPX等新工艺。




老黄被苏妈传言的MCM吓到了另外老黄好像历来是两边都准备

十年一刻 发表于 2022-10-7 12:29

无非就是plan A和plan B
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