消息称SK hynix已引入佳能纳米压印设备用于研发，目标2025年实现NIL工艺3D NAND量产
本帖最后由 埃律西昂 于 2023-5-17 19:59 编辑https://biz.chosun.com/resizer/ESGns-MUH-H_XcolsGvMAUlIX7M=/616x0/smart/cloudfront-ap-northeast-1.images.arcpublishing.com/chosunbiz/3R7WWBIJIY5Y627HA55JJHPXRE.jpg
来源： 朝鲜日报
原韩文标题：《SK하이닉스, 日서 차세대 ‘나노임프린트’ 장비 도입… “3D 낸드 고도화”》
纳米压印技术旨在2025年实现3D NAND的大规模生产
将3D NAND的生产力提高到200层以上
"测试结果呈阳性，订购了额外的佳能设备"
据报道，SK hynix今年正在测试日本光学设备公司佳能的 "纳米压印（NIL）光刻技术 "生产设备。该公司正在进行研究和开发（R&D），目的是在2025年左右利用该设备大规模生产3D NAND闪存，迄今为止的积极测试结果有望带来更多的大规模生产订单。
据半导体行业4日消息，SK hynix今年从佳能购买了NIL测试设备，并正在进行测试工作，将其应用于3D NAND生产过程。NIL被认为是比业界最先进工艺中使用的极紫外（EUV）光刻设备更先进的设备，一直以来只在研发层面处理。
被誉为下一代光刻技术（一种将光源照射到刻有设计布局的玻璃盘上，在涂有光敏溶液的硅片上形成电路图案的工艺），NIL使用印有纳米图案的印章，将纳米图案转移到硅片上，很像印章。
在用液体紫外线（UV）光敏剂涂抹硅衬底后，将透明模板置于接触处，并施加压力，在模板之间形成图案。然后可以通过投射光源使图案凝固。据称，它比使用传统的氟化氩（ArF）曝光设备或EUV曝光设备更经济，因为它利用廉价的紫外线作为光源，不使用透镜。
传统ArF设备的物理电路线宽限制仅为38纳米。主要的半导体制造商已经引入了双重图案技术，即用一个新兴的ArF曝光器两次甚至三次形成电路图案，以缩小线宽至20纳米或更小。然而，这种多图案工艺增加了生产时间，需要更多的设备，如沉积和蚀刻。这具有降低生产线总生产能力的负面影响，因为它占用了更多的空间。
一位熟悉SK hynix的人士解释说："使用传统的ArF出现设备，由于需要形成多个图案，工艺数量增加，这就增加了生产成本。""我们已经证实，与传统工艺相比，制造成本要比NIL好得多，传统工艺通常需要四个多图案工艺。"
然而，NIL技术还不完善。"由于NIL与EUV相比，图案的自由度较小，它将首先应用于保持恒定图案的NAND闪存的生产，这就是SK hynix开始购买NIL设备的原因，"这位官员补充说。
如果NIL实现商业化，预计包括SK hynix在内的Nand制造商将能够提高3D Nand的生产力，因为从200层开始，3D Nand的加工难度越来越大。对于3D NAND来说，关键是通过各种化学处理降低表面张力，以增加层数，但这个过程在200层之后变得越来越困难。
"关于纳米压印技术的商业化还没有最终确定，"SK海力士的一位代表说。
与此同时，竞争对手三星电子也很早就引进了极紫外光刻设备，以解决多图案工艺成本上升的问题，据说还在研究其他三四种解决方案，包括NIL。 原来不止我们喜欢弯道超车[偷笑]赶紧出P44 PRO 4TB版吧 枫血狂圣 发表于 2023-5-19 10:15
原来不止我们喜欢弯道超车赶紧出P44 PRO 4TB版吧
这种高速大盘用途是什么? 装游戏?
我感觉980也够了哈哈
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