关于内存速度的问题
本帖最后由 wylzzb 于 2023-10-9 11:09 编辑电的速度和光是一样的,大多数主板上cpu和内存的距离为大概是10cm, 一个往返就是20cm,300000km=30000000000cm ,30000000000/20=1500000000Hz=1500MHz,DDR上下沿都传输数据速度*2也就是3000M, 这还是忽略所有延迟,不考虑电子在半导体材料内的减速的情况,但现在DDR5都有7,8KMHz了,这个是怎么办到的?
想明白了,内存时钟速度是按照8位数据宽度的等效频率计算的,目前主流cpu数据位宽度64位,所以实际时钟频率要÷8 本帖最后由 PPXG 于 2023-10-9 09:45 编辑
编辑掉了,真解释起来好像不是我能理解的内容,非专业相关[偷笑] DDR5那个是接口等效频率吧,实际clock好像远没那么高,大概几百MHz级的,具体得翻设计文档 楼上正解,大概100-300m的频率,楼主看到的是等效频率 SDRAM200-DDR400-DDR2 800-DDR3 1600-DDR4 3200-DDR5 6400是同一个核心频率 本帖最后由 天涯望月 于 2023-10-9 19:34 编辑
电的速度和光的初始速度差老远了.......速度接近一样是指在一定的条件下传导信息的速度.....电传导信息是靠队友电子“接力”的集体力量....光子的速度是恒定的....
内存的好坏不只是表面的频率~关系Bank,Groups的个数...就是颗粒的技术含量~位宽组合....关系到配合CPU的并行处理.....这个东西我也没有搞明白...可以肯定说~市面上的内存是五花八门的组合...不同密度颗粒~不同位宽的组合是比较复杂的....反正便宜没好货....
你说的网上都能随意搜到...我说的网上想找点有用的参考~难~或者根本看不懂~无法区分 天涯望月 发表于 2023-10-9 19:16
电的速度和光的初始速度差老远了.......速度接近一样是指在一定的条件下传导信息的速度.....电传导信息是靠 ...
你大概说的不对,电子的传导速度是极慢的,既电子漂移速度;实际上接近光速(也不是光速,但极接近)的是电场,我们意义上的电的传导速度也是电磁场的传导。光速没毛病。 以我有限的知识理解就是:其实现在内存和PC66、PC100、PC133 那个时候变化不是很大(请不要抬杠,变化不大不是没变化),那时候是真实频率,现在是各种等效,上下沿啥的新技术,,,, CPU,内存这些工作频率与电场的传输速度无关,而是特指内部MOSFET的开关速度。 本帖最后由 zhuifeng88 于 2023-10-10 14:47 编辑
不需要/8, 内存数据线上的数据频率就是"等效频率/2"那么高, 内存内部存储单元的频率和数据线上传输的频率是不同的, 具体差异倍率是prefetch取值, 但存储单元频率和你问的传输频率无关(指3458楼歪的)
而且内存DQ线上频率算很低的了, 主要是单端传输的限制, 更高频率想想就在边上的pcie
至于怎么办到的, 简单来说, 改变传输电平并不需要等信号传达, 你打个手电1秒开关一次, 1光年外的人1年后看到的还是你1秒开关一次, 延迟高低本身不会对传输速率造成任何限制
具体的话关键词传输线模型
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