ONEChoy 发表于 2024-4-1 02:48

赫敏 发表于 2024-4-1 03:01

在 IEDM 2022 上，台积电透露了 N3B 的一些方面。N3B 具有 45nm 的 CGP，与 N5 相比缩小了 0.88 倍。台积电还实施了自对准接触，从而可以更大程度地扩展 CGP。我们将在以后的系列中详细介绍这一点以及其他 DTCO 缩放。台积电还展示了 0.0199 μm2 的 6 晶体管高密度 SRAM 位单元。这仅缩小了 5%，这对于 SRAM 未来的扩展来说是个坏兆头。
由于 N3B 未能达到台积电的性能、功率和产量目标，因此开发了 N3E。其目的是修复 N3B 的缺点。第一个重大变化是金属间距略有放松。台积电没有在 M0、M1 和 M2 金属层上使用多重图案化 EUV，而是退缩并切换到单一图案化。

这是在保持功率和性能数据相似的同时实现的。逻辑密度也略有下降。此外，使用标准单片芯片（50% 逻辑 + 30% SRAM + 20% 模拟），密度仅增加 1.3 倍。

在 IEDM 期间，台积电透露 N3E 的位单元尺寸为 0.021 μm2，与 N5 完全相同。这对 SRAM 来说是毁灭性的打击。由于良率，台积电放弃了 SRAM 单元尺寸而不是 N3B。

N3E 比 N3B 做得好得多，明年年中将量产。这是 AMD、Nvidia、Broadcom、Qualcomm、MediaTek、Marvell 和许多其他公司最终将使用 N3E 作为其领先优势的节点。

与台积电为其 N7 和 N5 系列节点推出的先前 nodelet 不同，N3E 与 N3B IP 不兼容。这意味着必须重新实现 IP 块。因此，许多公司，例如 GUC，选择只在更持久的 N3E 节点上实现他们的 IP。
[偷笑]

ONEChoy 发表于 2024-4-1 03:11

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查看完整版本: 3NM边角料啊。。。好想要这颗ES啊啊啊。。。