sthuasheng 发表于 2024-5-26 14:17

传三星HBM3E芯片存在运行过热问题， 导致无法通过英伟达的验证

怎么感觉不管是什么设备，只要用三星的工艺就会是大火龙啊[流汗]

美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品。其**光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证，并获得了订单。不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，传闻主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。

据相关媒体报道，三星的HBM3E芯片在英伟达的验证测试过程中似乎遇到一些重大问题，其中芯片运行过热就是一个大问题。据了解，三星从去年开始，就先后提供了HBM3和HBM3E给英伟达进行验证，但是一直没有通过，这意味着这些问题已经存在至少六个月的时间。

有业内人士透露，三星提供的8层堆叠和12层堆叠的HBM3E芯片都有问题，因此英伟达暂时只可能在SK海力士或者美光处下单。其中SK海力士早在2022年6月左右就开始向英伟达提供HBM3，用于H100，然后从2024年3月起又开始供应HBM3E。

暂时还不清楚三星的HBM3和HBM3E芯片到底是生产问题，还是与封装相关的问题，或者是其他问题。与SK海力士和美光相比，三星开发的时间更短一些，显得有些匆忙。此前有消息称，三星的HBM3E产品在制造工艺上有些许差异，而台积电基于的是SK海力士的检测标准，因此受到的影响。

对此三星官方表示，这些属于根据客户需求定制产品的问题，并否定了过热的说法，称测试正在按计划进行。

叶子烟 发表于 2024-5-26 14:19

星星星怎么干啥都那么热

gladiator 发表于 2024-5-26 15:22

三星这FAB终于连显存也整不明白了么[偷笑]

atlantis414 发表于 2024-5-26 15:44

"不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，传闻主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。"

没看懂, 三星没有通过英伟达测试原因是台积电的审批 ?

cyberms 发表于 2024-5-26 15:55

atlantis414 发表于 2024-5-26 15:44
"不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，传闻主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。"

没看 ...

要整体封装。

atlantis414 发表于 2024-5-26 15:57

cyberms 发表于 2024-5-26 15:55
要整体封装。

原来如此,谢谢

灵乌路空 发表于 2024-5-26 17:38

中 / 美 是屏蔽词了啊[震惊]

YsHaNg 发表于 2024-5-26 19:45

atlantis414 发表于 2024-5-26 07:44
"不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，传闻主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。"

没看 ...

SoIC+CoWoS

Flanker 发表于 2024-5-26 21:01

gladiator 发表于 2024-5-26 15:22
三星这FAB终于连显存也整不明白了么

也不是刚刚的事了
本来2是它先量产的，结果后面2e/3/3e被海力士追上反超甚至遥遥领先
美光那边有gddr5x/6x，hbm3e还追上了海力士
就它一直摸鱼，gddr6w发布一年半也没人实用

netjunegg 发表于 2024-5-26 21:48

三星存储地位堪忧啊, 据说ddr5这代, 三星是垫底的

melancholy05 发表于 2024-5-27 09:22

本帖最后由 melancholy05 于 2024-5-27 09:24 编辑

难怪星星星近期解散了DRAM工艺设计团队进行重组[狂笑]已经落后海力士起码两年了
海力士从A-DIE开始薄纱，HBM更不用说，甚至NAND闪存从176层开始也比星星星能效更高，消费级产品缓外写入速度最强

KazamiKazuki 发表于 2024-5-27 09:42

melancholy05 发表于 2024-5-27 09:22
难怪星星星近期解散了DRAM工艺设计团队进行重组已经落后海力士起码两年了
海力士从A-DIE开始薄纱，HBM更不 ...

MDie都能薄纱

melancholy05 发表于 2024-5-27 09:51

KazamiKazuki 发表于 2024-5-27 09:42
MDie都能薄纱

M-DIE第一代超频上限还是低了些，不过DRAM能效比方面SK确实领先很久了

ONEChoy 发表于 2024-5-27 10:28

[偷笑] 喜闻乐见。。。某天新闻：黄伟达h200霸业一波三折困难重重股价断崖 转身把精力投放到消费市场。。。
[偷笑] 虽然不可能有这个平行宇宙 自娱自乐一下。。。

fpd92axv 发表于 2024-5-27 11:27

melancholy05 发表于 2024-5-27 09:51
M-DIE第一代超频上限还是低了些，不过DRAM能效比方面SK确实领先很久了

第一代能上7000+够可以了，三丧那边能6000+么？

melancholy05 发表于 2024-5-27 11:57

fpd92axv 发表于 2024-5-27 11:27
第一代能上7000+够可以了，三丧那边能6000+么？

打扰了，我以为第一代普遍也就6800左右的水平[困惑]不过7000+的话发热很不好看吧？

fpd92axv 发表于 2024-5-27 14:56

melancholy05 发表于 2024-5-27 11:57
打扰了，我以为第一代普遍也就6800左右的水平不过7000+的话发热很不好看吧？ ...

所以日常还是降到7000以下...

sekiroooo 发表于 2024-5-27 16:53

这是不是GDDR7显存颗粒呢

orc 发表于 2024-5-27 17:10

三星的HBM3E方案良品率明显低于海力士的，这波技术领先优势已经完全落后于海力士，三星正在追赶

Flanker 发表于 2024-5-27 18:58

melancholy05 发表于 2024-5-27 09:51
M-DIE第一代超频上限还是低了些，不过DRAM能效比方面SK确实领先很久了

真要说在ddr4后期星星星就已经不行了，研发的c-die d-die都只能做oem和中低端
海力士有cjr，美光8/16Gb也都有好颗粒
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