fingtn13127 发表于 2025-7-13 09:34

980PRO的0E门可能真的是因为固件导致的?

暂时一条9a1已经写入700TB了
另外后来购入的一条980PRO SN码S6B0NG0R407510N已经写入100多TB了确实暂时还没有问题
到手之后就刷了最新的固件

流浪的蛙蛙 发表于 2025-7-13 09:48

新固件屏蔽了0e显示而已,而且后头换了颗粒。

shiroxx 发表于 2025-7-13 09:49

运气而已,而且0E是那段时间日本把给韩国晶圆制造的一些重要消耗品停了导致的

miao123177 发表于 2025-7-13 09:51

shiroxx 发表于 2025-7-13 09:49
运气而已,而且0E是那段时间日本把给韩国晶圆制造的一些重要消耗品停了导致的 ...

那为啥国产的致钛也有0E出现啊

shiroxx 发表于 2025-7-13 09:55

miao123177 发表于 2025-7-13 09:51
那为啥国产的致钛也有0E出现啊

工艺不成熟啊,啥东西都有良品率,致钛5000时期很容易0e我也中过一次但是7100以后很少了吧

fingtn13127 发表于 2025-7-13 10:00

流浪的蛙蛙 发表于 2025-7-13 09:48
新固件屏蔽了0e显示而已,而且后头换了颗粒。

好吧 暂时看起来我这条还算是健康 但是序列号看的话确实就是那一批容易出现0E的那一批

lh4357 发表于 2025-7-13 10:41

miao123177 发表于 2025-7-13 09:51
那为啥国产的致钛也有0E出现啊

因为没有任何电子产品可以保证故障率是0.

B1ackCatz 发表于 2025-7-13 10:42

我的pm9a1联想版写入15t了也没有0e,感觉马上就要出来了…[流泪]

zhrb 发表于 2025-7-13 11:36

三星这波应该是颗粒的问题
只看消费级
980pro、970ep新版、870e都是同款主控+v6颗粒,普遍有0e的毛病
980不带pro,主控不同,v6颗粒,也很多0e

zhengliao 发表于 2025-7-13 11:37

这个难道不是边角料颗粒的问题

过时技术研究所 发表于 2025-7-13 12:05

笑死了就喜欢头铁还自我安慰抱有幻想的。那些买14900K说一定不会缩肛的。一模一样。

过时技术研究所 发表于 2025-7-13 12:06

miao123177 发表于 2025-7-13 09:51
那为啥国产的致钛也有0E出现啊

国产的更拿不到一些技术和原材料了你说呢
现在新版的都没了吧

Phil_Libra 发表于 2025-7-13 12:51

miao123177 发表于 2025-7-13 09:51
那为啥国产的致钛也有0E出现啊

傲腾也有0E的

卢奇亚诺 发表于 2025-7-13 13:39

当初据说是**胶的问题,因为日本给三丧断供,韩国的**胶不行

DDK350 发表于 2025-7-13 13:42

0E是颗粒硬伤 被三星屏蔽了而已

fingtn13127 发表于 2025-7-13 19:07

DDK350 发表于 2025-7-13 13:42
0E是颗粒硬伤 被三星屏蔽了而已

等于还是有0E只是最新版本固件屏蔽了让你看不到它而已?

VictorTDD 发表于 2025-7-13 19:18


V6只是有概率而已,又不是100%会出坏块,V6出货量这么大,所以显得案例就很多。新固件调整了一些操作参数,可以一定程度上降低这个概率,但并不是100%杜绝,这不是什么屏蔽0E,跟序列号批次也没关系,跟原料什么的更没关系。

V6最大的问题在于,在当时那个开发时间节点上,V6的工艺设计是有缺陷的。当时的设备和工艺对单次蚀刻130+L是个很大的挑战,各家原厂在这个层数只有三星采用了比较激进的单deck设计,这样做的结果就是,成本比较好看,但可能导致蚀刻的效果不太好,这点从逆向工程的蚀刻孔洞照片上就能看出来。所以到V7时,三星终于采用了双deck设计,把每个deck的层数降回了100L附近。

随着设备、技术、材料和设计的进步,三星后面的V8工艺就很棒了,蚀刻孔洞清晰、整齐、均匀,甚至没什么变形。目前大厂对各家最新世代3D NAND的测试也反映,三星V8的数据保持做的非常好。

2025年过去一半多了,现在买三星SSD也很少会去碰V6产品了吧。

VictorTDD 发表于 2025-7-13 19:22

流浪的蛙蛙 发表于 2025-7-13 09:48
新固件屏蔽了0e显示而已,而且后头换了颗粒。

980PRO 没换过方案。

980 和 870EVO 后期倒是都换了V6P方案的,小容量除外。

yuanico02 发表于 2025-7-13 19:30

不可能只是固件导致的问题,因为这异常由来已久。三星的galaxy手机当年大规模爆出字库门,就是nand颗粒0e导致的。那时候才几几年,大概2015左右吧。所以显然是nand工艺自身有问题,长江存储128层颗粒初期也有这个问题,但是很快修复了。三星花了至少五六年也没人知道修复没有。

VIX 发表于 2025-7-13 20:41

VictorTDD 发表于 2025-7-13 19:18
V6只是有概率而已,又不是100%会出坏块,V6出货量这么大,所以显得案例就很多。新固件调整了一些操作参数 ...

正解,当时搞单deck太激进了

zerozerone 发表于 2025-7-13 23:20

事实是,个人5年没碰棒子闪存的任何产品。

当我只有信仰的时候,一堆人跟我讲道理。
当我开始讲道理的时候,还是不停有新人构建信仰。
硬来只能是对立和谩骂,且于事无补。
有了代价,代价足够高了,或许哪些莫名其妙的信仰才会崩塌。
人的认知,只能自知自醒。旁人没有叫醒义务。

tim6252 发表于 2025-7-13 23:35

VictorTDD 发表于 2025-7-13 19:18
V6只是有概率而已,又不是100%会出坏块,V6出货量这么大,所以显得案例就很多。新固件调整了一些操作参数 ...

终于看到有个把这事讲明白的了

神性 发表于 2025-7-14 02:19

缩杠也不是个个都缩。

rubycon2008 发表于 2025-7-14 06:20

本帖最后由 rubycon2008 于 2025-7-14 06:24 编辑

shiroxx 发表于 2025-7-13 09:49
运气而已,而且0E是那段时间日本把给韩国晶圆制造的一些重要消耗品停了导致的 ...

是日本禁止向韩国出口光+刻胶导致的了。

rubycon2008 发表于 2025-7-14 06:24

神性 发表于 2025-7-14 02:19
缩杠也不是个个都缩。

是缩缸。

crystone 发表于 2025-7-14 12:07

VictorTDD 发表于 2025-7-13 19:22
980PRO 没换过方案。

980 和 870EVO 后期倒是都换了V6P方案的,小容量除外。

哪里可以查询哪些型号使用v6,v7,v8制程呢

清歌古韵 发表于 2025-7-29 13:22

有些老的MLC没有0E这个内容,新的TLC基本都有0E(数值是0)

yuechsh 发表于 2025-7-29 15:49

不用焦虑这玩意的写入寿命,主控和电源ic一般挂在前面[偷笑]
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