醒醒。制程挤不动了，下一代GPU就算用N2也不会有飞跃
本帖最后由 gartour 于 2025-7-19 23:41 编辑N卡30系 -> 40系，
工艺 三星8nm->台积电5nm
密度 45.1M -> 125.3M
密度提升到原来2.78倍，增幅是178%。所以才有40系那么大的提升。
再看看现在，
N5 -> N3 ，提升30%
N3 -> N2 ，提升15%
N5 -> N2 ，总共提升49.5%，
比40系那一代的密度增幅的三分之一都不到。
而且N2还贵得要命，价格还要大涨。
就这，拿什么来飞跃。
当然，比50系那种提升不大功耗还大涨得情况会好看一点。但也好不了太多了。能指望的大概就是性能提升30~50%，然后功耗维持现在600w不到点的水平，不像50系那样涨功耗。。。能做到这样，就算不错的结果了。但N2是比N5贵很多的，6090 MSRP估计真要20000+了
有dlss不慌 提升50%已经很强了 想想也挺无奈的终点就是那个终点 但还是要缓慢的走过去 接下来主要靠的是科技狠活（AI） jaycty 发表于 2025-7-19 17:17
提升50%已经很强了
50%得用N2才行，N3没戏（除非突破600w限制）
但用了N2价格就不乐观 英伟达面向tob的业务大赚特赚反哺toc，导致toc显卡涨价幅度少，吗？
明年AI有没有现在这么热那谁知道，搞不好还得涨上+涨 60系顶多上n3p，大核心这种规模的单die面积新工艺根本hold不住，26年底良率无法想象，70系上个n2p还差不多[流汗] 人生几何 发表于 2025-7-19 17:27
英伟达面向tob的业务大赚特赚反哺toc，导致toc显卡涨价幅度少，吗？
明年AI有没有现在这么热那谁知道，搞不 ...
不存在反哺。TO C亏损时才能叫反哺。
老黄TO C仍然是很赚的，只是不像计算卡那样血赚。留着消费者业务也是稳健性的考虑。 50系提升50%？不是提升不到30%吗 都这么乐观吗都开始畅想3nm甚至2nm了，倘若60系还是5nm++你不炸了吗[恶魔] gartour 发表于 2025-7-19 17:22
50%得用N2才行，N3没戏（除非突破600w限制）
但用了N2价格就不乐观
再过两三年的2nm也降价了，60系有可能采用的 60系铁定N3，就是不知道是N3P还是N3E。或者是基于这2个定制一个N3N。
70系能不能上N2都不好说
我甚至觉得60系也许会增加一个介于02和04之间的
02--512bit，基本就是面向ai芯片
03--384bit，高端geforce
04--256bit，80级别geforce N2工艺换晶体管结构，而且马上又有背部供电。
虽然晶体管密度可能提升不大，但性能我预期还是有明显改善的。 af_x_if 发表于 2025-7-19 19:43
N2工艺换晶体管结构，而且马上又有背部供电。
虽然晶体管密度可能提升不大，但性能我预期还是有明显改善的 ...
那些技术手段很大程度是用来解决密度提升时产生的负面作用和障碍的。直白点说就是不用这些技术密度就很难进一步提升了。
比如ivy bridge是intel首个finfet芯片，用户体验上有什么感知吗？ 28nm 到16nm，晶体管 架构变了，不单单是密度倍数。
接下来，N2是 GAA到底有多大提升，讲不清楚，现有信息，提升应该不大，因为三星已经做出来了，能看到性能了，如果提高很多，早就吹爆了。 三星的2nm只是还不成熟不能量产。
苹果现在走在最前面，看A系列处理器，就知道每一代工艺的水平了。 不急，等9月，看iphone表现。 Maxwell架构：工艺换不换的很重要吗？ 制程工艺是制程工艺， 架构是架构， 工艺提升是芯片密度、功耗、频率、封装技术等更强。
而架构，芯片规模等是芯片厂研发决定的。
制程工艺提升是提升，那工艺变动不大的时候，架构芯片规模也可以决定芯片换代的提升啊
你怎么想着制程变化不大，提升就不大呢？你是看扁老黄芯片架构的研发提升? 叹息之墙 发表于 2025-7-19 20:59
Maxwell架构：工艺换不换的很重要吗？
Pascal架构：那确实很重要 本帖最后由 gartour 于 2025-7-19 22:32 编辑
kilbadou 发表于 2025-7-19 21:15
你怎么想着制程变化不大，提升就不大呢？你是看扁老黄芯片架构的研发提升?..
5090还不够明显吗？ 制程不变，性能就只有那么点提升，而且还伴随功耗同步提升，弄出个600w的玩意。
60系要还用N4,你是准备用上1000w的显卡吗？ 本帖最后由 ghgfhghj 于 2025-7-19 22:30 编辑
万一和rnda4一样工艺没怎么变就提升了40%呢
n卡的sm单元从30系开始还没有质变过 ghgfhghj 发表于 2025-7-19 22:29
万一和rnda4一样工艺没怎么变就提升了40%呢
n卡的sm单元从30系开始还没有质变过 ...
rdna4 工艺有明显变化。
7900xtx 那6颗 6nm工艺的mcd的密度只有50m左右，严重拖后腿，导致MCD+**平均密度只有109M. 而9070xt的密度是151m。
论晶体管总规模，7900xtx是57,700M， 9070xt是53,900M，7900xtx晶体只管略多一点，
性能7900xtx的传统光栅性能要比9070xt强不少， 9070xt的光追性能要更强。平均下来7900xtx性能还要略高一些。不知道你说的40%是如何算出来的。
binne 发表于 2025-7-19 20:52
28nm 到16nm，晶体管 架构变了，不单单是密度倍数。
接下来，N2是 GAA到底有多大提升，讲不清楚，现有信息 ...
如果没有gaa或者之前的finfet来控制漏电流，那么密度就会卡在那个节点无法继续提升。
这些晶体管结构技术主要就是为密度提升服务的。它就是密度提升的过程，而不是密度之外的东西。 PPXG 发表于 2025-7-19 21:59
Pascal架构：那确实很重要
NV设计游戏卡最用心的两代 半导体目前工艺瓶颈了 能有30->40的提升就可以了，也是跨了2代工艺
此外还能改架构
不过看上去皮衣没什么动力大改，就算改也是往AI方向改
游戏卡市场就是AI的边角料 zexis744 发表于 2025-7-19 23:12
能有30->40的提升就可以了，也是跨了2代工艺
此外还能改架构
30→40的提升在历代也属罕见情况吧 本帖最后由 gartour 于 2025-7-19 23:29 编辑
zexis744 发表于 2025-7-19 23:12
能有30->40的提升就可以了，也是跨了2代工艺
此外还能改架构
那时的两代跟现在的两代是天壤之别。
三星sf8 到台积电n5，密度提升了178%。台积电n5到n2，密度只提升50%，增幅还不到前者的三分之一 。。。。。。。
要按照以前每一代工艺的提升幅度，现在的N2只配叫N5+++
gartour 发表于 2025-7-19 23:23
那时的两代跟现在的两代是天壤之别。
三星sf8 到台积电n5，密度提升了178%。台积电n5到n2，密度只提升50 ...
数据没问题的话，大概就是个20->30的升级吧
不行就跟30系一样怼功耗嘛，玩家都是抖M，为了性能都会接受的
6090拉到800瓦，力大砖飞 [偷笑] gartour 发表于 2025-7-19 22:48
rdna4 工艺有明显变化。
7900xtx 那6颗 6nm工艺的mcd的密度只有50m左右，严重拖后腿，导致MCD+**平均密 ...
“性能7900xtx的传统光栅性能要比9070xt强不少”
哪个次元的7900xtx
页:
[1]
2