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标题: Igor说RTX 40的一开始的备案包括使用三星节点 [打印本页]

作者: 埃律西昂 时间: 2022-10-7 09:18
标题: Igor说RTX 40的一开始的备案包括使用三星节点
本帖最后由埃律西昂于 2022-10-7 11:54 编辑

更新：Igor补正了表述，不再提到具体的8N工艺，而是模糊的说了“当前制程”。合理推测，应该比8N更新！

When I asked my source again, Samsung’s current node was mentioned as the reference for the 600 watts, but not explicitly the old 8 nm process.

来源： igor'sLAB

所以搞了个600W作为散热设计基准。

然后敲定TSMC 4N节点，4N体制也不错，所以现在的功耗还不算难看。

结果就是AIC认为现在的散热太浮夸了，至少能省10美元。

作者: gbawrc 时间: 2022-10-7 09:44
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: mhmddb 时间: 2022-10-7 09:52
双槽不跃肩3风扇的啥时候能有

作者: pc_based 时间: 2022-10-7 09:53
幸好没继续用三星的拉垮工艺了

作者: zcjzcj11111 时间: 2022-10-7 09:55
明显是胡扯吧，应该是三星的5nm和4nm，就三星8nm的工艺制程，晶体管不变，核心面积至少是1200-1500mm的节奏了，不可能造出来的吧

作者: 醉酒棕熊 时间: 2022-10-7 09:55
操，老黄这次如果还用三丧工艺，我他M的坚决不买

作者: sinopart 时间: 2022-10-7 10:15
所以现有非公和公版，都是按照600w设计的？

作者: atiufo 时间: 2022-10-7 10:32
沿用三星8N的话，那架构必须得大改了，规模只能小幅度提升，否则怎么玩？

作者: ylgtx 时间: 2022-10-7 11:11
760亿晶体管用三星8n能造？

作者: liyichao97 时间: 2022-10-7 11:27
这怎么继续用，ga102都600多平方，再加一点规模的话光罩都不够大

作者: 神棍儿 时间: 2022-10-7 11:39
都3.5槽 3x11风扇又越肩，何不双12风扇卡短点
现在风扇默认满载不超60%卡也不热，三分之一镂空，感觉在做无用功

作者: chenwen834 时间: 2022-10-7 11:39
用也是用三星的5nm，给膏通那个

作者: 埃律西昂 时间: 2022-10-7 11:45
本帖最后由埃律西昂于 2022-10-7 11:52 编辑

chenwen834 发表于 2022-10-7 11:39
用也是用三星的5nm，给膏通那个

我觉得要是samsung作为备案，那确实也应该是4LPX等新工艺。

[del]所以Igor说备案是8N确实很奇怪。[/del]

果然更正了。

作者: 埃律西昂 时间: 2022-10-7 11:52

zcjzcj11111 发表于 2022-10-7 09:55
明显是胡扯吧，应该是三星的5nm和4nm，就三星8nm的工艺制程，晶体管不变，核心面积至少是1200-1500mm的节奏 ...

Igor再次问消息源后更新了补正，本帖对此也进行了更新。

作者: 埃律西昂 时间: 2022-10-7 11:53

atiufo 发表于 2022-10-7 10:32
沿用三星8N的话，那架构必须得大改了，规模只能小幅度提升，否则怎么玩？ ...

Igor再次问消息源后更新了补正，本帖对此也进行了更新。

作者: 埃律西昂 时间: 2022-10-7 11:53

ylgtx 发表于 2022-10-7 11:11
760亿晶体管用三星8n能造？

Igor再次问消息源后更新了补正，本帖对此也进行了更新。

作者: chenwen834 时间: 2022-10-7 12:03

埃律西昂发表于 2022-10-7 11:45
我觉得要是samsung作为备案，那确实也应该是4LPX等新工艺。

老黄被苏妈传言的MCM吓到了另外老黄好像历来是两边都准备

作者: 十年一刻 时间: 2022-10-7 12:29
无非就是plan A和plan B

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