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标题: 超越HBM，消息称三星正与Intel携手研发Cache DRAM [打印本页]

作者: 埃律西昂 时间: 2023-9-8 21:30
标题: 超越HBM，消息称三星正与Intel携手研发Cache DRAM
来源： sedaily
本帖内容由上述链接节选。

消息称三星先进包装团队已开始Cache DRAM研发。
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缓存 D-RAM 是一种比最近风靡业界的高带宽内存（HBM）更先进的 DRAM。HBM 使用多个 DRAM 像单个芯片一样垂直堆叠来实现高容量，而Cache DRAM则可以在单个芯片上存储与 HBM 一样多的信息。据报道，该公司正在讨论最早于 2025 年实现量产。

高速Cache DRAM的封装方式与 HBM 不同。目前，HBM 水平连接在图形处理器（GPU）旁边。而高速Cache DRAM则垂直安装在处理器的顶部。将芯片尽可能紧密地排列在一起，可以更容易地以电子方式处理更多信息，并使它们在价格上更具竞争力。控制堆叠 D-RAM 产生的热量可能是未来最大的挑战。"三星电子表示："如果高速Cache DRAM实现商业化，与现有的 HBM 相比，它将提高 60% 的能效，减少 50% 的信息传输延迟。
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该公司还开发了 X-Cube，这是一种独立的 SRAM，堆叠在处理器顶部，作为系统半导体内的临时内存存储。与英特尔合作开发的Cache DRAM被认为是 X-Cube 的升级版，可以降低成本，提高容量。

作者: mhmddb 时间: 2023-9-8 22:30
上回是牙膏和镁光搞个傲腾，然后没了。。。
三星这个会不会最终结果也是没了

作者: 赫敏 时间: 2023-9-8 22:33
这不就是X3D。。。。只不过不是缓存是内存

作者: adun 时间: 2023-9-8 22:34

这个类似X3D的解决方案？感觉2025年也没多远了啊。。。

作者: iriserin 时间: 2023-9-9 00:31
蓝厂主管挖坑, 专埋队友

作者: 邪恶的光B 时间: 2023-9-9 02:13
boom星有参与啊？感觉这玩意会热到爆炸？

作者: aibo 时间: 2023-9-9 10:58
牙膏：U你别怕冷，给你裹一层棉被

作者: 浅梦 时间: 2023-9-9 12:10
正在用HMB2 的雷7，瑟瑟发抖中，好多坏的都是显存

作者: rascally 时间: 2023-9-9 13:33

浅梦发表于 2023-9-9 12:10
正在用HMB2 的雷7，瑟瑟发抖中，好多坏的都是显存

n 卡贵好修，a卡坏了很多都白布盖上的。

作者: test01 时间: 2023-9-9 15:18
四级缓存

作者: markyue 时间: 2023-9-9 17:52
制程难以提升，就搞先进封装

作者: jsntrgsy 时间: 2023-9-10 08:34
SRAM+DRAM混合体的廉价3DV Cache

作者: geli 时间: 2023-9-13 22:30

rascally 发表于 2023-9-9 13:33
n 卡贵好修，a卡坏了很多都白布盖上的。

HBM的N卡，坏了一样白布盖上拉走

作者: rascally 时间: 2023-9-13 23:43

geli 发表于 2023-9-13 22:30
HBM的N卡，坏了一样白布盖上拉走

hbm的没见几个能修好的。

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