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标题: 华硕推出NitroPath DRAM技术优化内存插槽设计，超频性能可提升400MT/s [打印本页]

作者: mnak888 时间: 2024-8-23 12:08
标题: 华硕推出NitroPath DRAM技术优化内存插槽设计，超频性能可提升400MT/s

为了向用户提供更高的内存超频体验，主板厂商们在过去一直都致力于通过优化BIOS、改善内存线路布局以及通过双内存槽设计等方式去实现。近日，华硕推出了一项专门针对内存超频的新技术——NitroPath DRAM则另辟蹊径，对传统的内存插槽进行重新设计，以达到缩短传输距离、降低信号干扰等效果，据称至高做到超频性能提升400MT/s。

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应用了NitroPath DRAM技术的内存插槽相比传统内存插槽，主要是在与内存金手指接触的引脚上做出了变化。NitroPath DRAM的引脚线路更短，且凭借更合理的物理结构设计，提供更好的弹性，增强对内存的固定压力。其中，内存插入时的侧向压力从传统的6.23kgf提升至7.46kgf，拔出时释放的的侧向压力从传统的3.88kgf提升至4.84kgf，插入后的持续压力从传统的4.72kgf提升至7.42kgf，有效减少内存出现接触不良或松动的情况，带来更加稳定高效的传输性能。

NitroPath DRAM技术的出现，可以说是继加电压、调小参、找到合适的ODT值这些软件层面上的操作后，在硬件层面上为超频玩家们提供了又一更好的超频条件，减少木桶效应带来的影响。

在Gamescom 2024上，华硕全新X870E/X870系列主板正式登场，其中ROG CROSSHAIR X870E HERO和ROG STRIX X870E-E GAMING WIFI是首批支持NitroPath DRAM技术的主板型号，相信在新技术的加持下，能够进一步释放AM5平台的内存性能。另外，该项技术大概率也会在10月份要新推出的Intel 800系主板中得到应用。

新闻来源 https://www.expreview.com/95444.html

作者: pmax 时间: 2024-8-23 14:00
物理。。。超频

我觉得挺好的，是个不错的创新

作者: aibo 时间: 2024-8-23 14:37
问题是，按摩店家的瓶颈完全不在这里。。。

作者: Alienxzy 时间: 2024-8-23 18:16
问题是AMD的瓶颈在io die那里啊，15代Intel平台可以再看看

作者: linxi1986 时间: 2024-8-23 19:15
看图从面接触变为了点接触，我觉得更不靠谱了

作者: CHH_Jun 时间: 2024-8-23 19:42
啊？就这？我这用的PDD上采购的销子就这意思 = =

作者: farwish 时间: 2024-8-23 22:44
CAMM2 之前就指望它了，终于能改进下老旧的接口了

作者: alangl 时间: 2024-8-24 09:23
插的更紧，拔出来更难

作者: 谎言之神Cyric 时间: 2024-8-24 09:44
CAMM2起码四倍以上价格，还是期待这些小改进得了……

作者: mygodpp 时间: 2024-8-26 11:30
减少了stub，确实会更有利于接触阻抗优化，减小反射，提高高频性能

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