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[PC硬件] 三星开始大规模量产最为先进的14nm制程DDR5,采用EUV光刻技术

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发表于 2021-10-12 15:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
来源:TechPowerUp

中文简介:
三星开始大规模量产14nm制程DDR5,该产品是通过应用5个EUV层来实现的,这带来行业内最高的密度,在晶元生产率提升约20%的同时能相较上代产品降低近20%能耗。以该工艺所生产的DDR5,频率将达到可观的7200Mbps。三星计划扩展其 14 nm DDR5 产品组合,以支持数据中心、超算和企业服务器应用。
此外,三星预计将其14 纳米DRAM芯片密度提高至 24Gb,以更好地满足全球 IT 行业快速增长的数据需求。




Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry's smallest, 14-nanometer (nm), DRAM based on extreme ultraviolet (EUV) technology. Following the company's shipment of the industry-first EUV DRAM in March of last year, Samsung has increased the number of EUV layers to five to deliver today's finest, most advanced DRAM process for its DDR5 solutions.

"We have led the DRAM market for nearly three decades by pioneering key patterning technology innovations," said Jooyoung Lee, Senior Vice President and Head of DRAM Product & Technology at Samsung Electronics. "Today, Samsung is setting another technology milestone with multi-layer EUV that has enabled extreme miniaturization at 14 nm—a feat not possible with the conventional argon fluoride (ArF) process. Building on this advancement, we will continue to provide the most differentiated memory solutions by fully addressing the need for greater performance and capacity in the data-driven world of 5G, AI and the metaverse."As DRAM continues to scale down the 10 nm-range, EUV technology becomes increasingly important to improve patterning accuracy for higher performance and greater yields. By applying five EUV layers to its 14 nm DRAM, Samsung has achieved the highest bit density while enhancing the overall wafer productivity by approximately 20%. Additionally, the 14 nm process can help bring down power consumption by nearly 20% compared to the previous-generation DRAM node.

Leveraging the latest DDR5 standard, Samsung's 14 nm DRAM will help unlock unprecedented speeds of up to 7.2 gigabits per second (Gbps), which is more than twice the DDR4 speed of up to 3.2 Gbps.

Samsung plans to expand its 14 nm DDR5 portfolio to support data center, supercomputer and enterprise server applications. Also, Samsung expects to grow its 14 nm DRAM chip density to 24Gb in better meeting the rapidly-growing data demands of global IT systems.




发表于 2021-10-12 15:44 | 显示全部楼层
期待d5快速布局  apu干死老黄
发表于 2021-10-12 16:05 | 显示全部楼层
euv干 14nm??  星星星有点拉跨啊。。   
发表于 2021-10-12 16:14 | 显示全部楼层
wozuimeng 发表于 2021-10-12 16:05
euv干 14nm??  星星星有点拉跨啊。。

euv上14.估计成本低,良率高吧
发表于 2021-10-12 16:19 | 显示全部楼层
EUV干14nm做内存颗粒,中芯国际表示想拍桌子
发表于 2021-10-12 16:21 | 显示全部楼层
人至中年游戏干不动了,只爱领取和下载都不打开。即便给我DDR6又有何用,但给我原价显卡另当别论。内存吧,就容量更有意义,最求极致时序的太磨人
发表于 2021-10-12 16:22 | 显示全部楼层
可能是三星的5nm产量不稳定吧。
发表于 2021-10-12 16:40 | 显示全部楼层
wozuimeng 发表于 2021-10-12 16:05
euv干 14nm??  星星星有点拉跨啊。。

dram和逻辑电路的制程不是一回事,不能互相比。简单的说逻辑电路是做二极管三极管,dram是做电容,电容受尺寸变小的负面影响更大。
发表于 2021-10-12 17:11 | 显示全部楼层
图上DIMM带RCD的,是RDIMM,服务器上用的。
发表于 2021-10-12 17:19 | 显示全部楼层
做芯片的主序工艺和做内存的工艺不一样的
DDR4目前还在顶尖的B-DIE是20的,其他的制程按数字看反而是更先进的……
发表于 2021-10-12 18:00 | 显示全部楼层
这以后四通道内存要多少季必啊
发表于 2021-10-12 18:06 | 显示全部楼层
maike 发表于 2021-10-12 18:00
这以后四通道内存要多少季必啊

DDR5的四通道不是和DDR4的双通道一样的位宽吗?
发表于 2021-10-12 18:14 | 显示全部楼层
内存工艺好像并不是越小越好
发表于 2021-10-12 18:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 Jutean 于 2021-10-12 18:29 编辑

牙膏应该改行  
毕竟拥有最先进的14nm
超10000问题应该不大
发表于 2021-10-12 18:29 | 显示全部楼层
牙膏厂心动了
发表于 2021-10-12 18:30 | 显示全部楼层
等普及吧,服务器内存好看,但是用不上。
发表于 2021-10-12 18:37 | 显示全部楼层
fxb19900913 发表于 2021-10-12 16:19
EUV干14nm做内存颗粒,中芯国际表示想拍桌子

美国人:你拍!给你拍!继续搞你
 楼主| 发表于 2021-10-12 19:06 来自手机 | 显示全部楼层
Jutean 发表于 2021-10-12 18:23
牙膏应该改行  
毕竟拥有最先进的14nm
超10000问题应该不大

直接做回老本行?
发表于 2021-10-12 22:48 | 显示全部楼层
fxb19900913 发表于 2021-10-12 16:19
EUV干14nm做内存颗粒,中芯国际表示想拍桌子

不是一个概念,内存没有3d来等效。
发表于 2021-10-12 23:22 | 显示全部楼层
raco 发表于 2021-10-12 17:11
图上DIMM带RCD的,是RDIMM,服务器上用的。

所有DDR5自带ECC啊,这代不分了
发表于 2021-10-13 00:21 | 显示全部楼层
舒方 发表于 2021-10-12 09:48
不是一个概念,内存没有3d来等效。

想做3d肯定也是可以的。HBM不就是一种3d的形式吗?只不过没有闪存那么多层(热啊)
发表于 2021-10-13 00:23 | 显示全部楼层
wsj3031829 发表于 2021-10-12 05:14
内存工艺好像并不是越小越好

内存继续做小还是没问题的,因为充放电是mos里的电容在做,而不是像闪存那样读写会改变物理上的结构
发表于 2021-10-13 02:06 | 显示全部楼层
现在这个14nm 代表什么已经不是普通人能理解的了  楼上不要瞎想了
发表于 2021-10-13 08:55 | 显示全部楼层
不太明白各个14nm之间有什么关系,我只关心老百姓用得起的ddr5什么时候来

不对,我在想什么,我是无欲无求的咸鱼。。我是无欲无求的咸鱼。。
发表于 2021-10-13 09:02 | 显示全部楼层
HydraCixe 发表于 2021-10-12 23:22
所有DDR5自带ECC啊,这代不分了

ECC 和 RCD 是两个 概念。  ECC 是用来 校验数据对错以及纠错1bit 的。  RCD是用来寄存CK和 CMD、CA信号,让信号质量更好,能够接更多DRAM DEVICE而使用的。
发表于 2021-10-13 09:15 | 显示全部楼层
这玩意会不会让机箱更热? 全是颗粒,热量也不小啊,带马甲也感觉温度会上去
发表于 2021-10-13 14:28 | 显示全部楼层
来吧,更猛烈些才好。
发表于 2021-10-14 00:57 | 显示全部楼层
来吧,来吧。让更新换代来的更猛烈些吧。
发表于 2021-10-14 09:44 | 显示全部楼层
是不是该给内存设计水冷系统了。
发表于 2021-10-14 10:30 | 显示全部楼层
国产颗粒尽快跟上。
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