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[存储] 三星PM9C1a: DRAM-Less, 176L V-NAND+5nm主控

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发表于 2023-1-12 10:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
https://www.chiphell.com/thread-2484196-1-1.html



这5nm属实是吃背靠晶圆厂的福利,太“奢侈”了。
发表于 2023-1-12 10:58 | 显示全部楼层
惊了,5nm的话,不需要主动散热了吧
发表于 2023-1-12 10:58 | 显示全部楼层
三星第一款自研4.0无缓主控
发表于 2023-1-12 10:59 | 显示全部楼层
颗粒还差点意思
发表于 2023-1-12 11:05 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2023-1-12 13:08 | 显示全部楼层
DRAM-Less? 然后采用HBM技术? 然后再安装个三星魔术师打开DRAM快取功能?

二次套娃?

发表于 2023-1-12 13:28 | 显示全部楼层
本帖最后由 hasuboy 于 2023-1-12 13:30 编辑

一味的追求堆叠层数对用户来说感知不大,三星先把良品率控制好再说,频繁爆出0E事件,慢慢的会导致品牌效应降低,现在连990Pro也爆出0E事件了。另外本身就是一款消费级产品,外加又是无缓盘,那个最大随机4K没有任何意义。QLC也有几年了,估计厂家看到用户不接招,现在又开始大面积搞无缓盘了,消费级今后的方向大概率是往这方面发展,所以对于有缓盘来说真的是且行且珍惜。
发表于 2023-1-12 19:42 | 显示全部楼层
确实,那些5.0的第三方主控还是12nm。不过话又说回来,三星很早就在用8nm的主控,这发热也没比落后制程的第三方厂家小多少啊,不知道是怎么搞的。
发表于 2023-1-12 21:32 | 显示全部楼层
舒方 发表于 2023-1-12 19:42
确实,那些5.0的第三方主控还是12nm。不过话又说回来,三星很早就在用8nm的主控,这发热也没比落后制程的第 ...

哈哈哈哈啊哈哈 你别忘了三星8NM实际是人家的多少NM来着
发表于 2023-1-12 22:04 | 显示全部楼层
舒方 发表于 2023-1-12 19:42
确实,那些5.0的第三方主控还是12nm。不过话又说回来,三星很早就在用8nm的主控,这发热也没比落后制程的第 ...

看看三星给别家代工的芯片就知道了啊

22nm以下都不是实际尺度了
发表于 2023-1-13 00:07 | 显示全部楼层
chunho 发表于 2023-1-12 21:32
哈哈哈哈啊哈哈 你别忘了三星8NM实际是人家的多少NM来着

10nm应该比16nm甚至22nm强吧。
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