达墨那个pslc好像又有货了 更新：退货了

layerfsd

chenyic 发表于 2023-9-22 16:10
都混chh了，少推杂牌子吧，特别是这种没下限的杂牌

好奇怪，哪来的莫名其妙的优越感，我这种时不时买矿渣的是不是就不配上chh了？

weskylixiaofeng

4k没提升确实没啥意义，记得之前三星出过真SLC的M.2的sz985，4k快赶上傲腾了

再也不对喷

chenyic 发表于 2023-9-23 01:59
杂牌就是杂牌，没有什么可争辩的。

而且人家营销都这么说，官号啥话都往外说，主打一个没有底线没边的口 ...

我觉得有固件软件更新的都不算杂牌

lmeva2002

layerfsd 发表于 2023-9-23 23:59
好奇怪，哪来的莫名其妙的优越感，我这种时不时买矿渣的是不是就不配上chh了？ ...

关键这个牌子价格毫无优势，牌子又小。   没有什么特别优势的。我觉得说的没错

楚门的世界

然天一那里刚出了评测，稍失望，白期待了，和好点的tlc打的有来有回
本质上nand的底子，和奥腾还是没法比，哎

Phil_Libra

weskylixiaofeng 发表于 2023-9-24 09:41
4k没提升确实没啥意义，记得之前三星出过真SLC的M.2的sz985，4k快赶上傲腾了

但是22110的…我有一个了

VictorTDD

楚门的世界 发表于 2023-9-24 14:33
然天一那里刚出了评测，稍失望，白期待了，和好点的tlc打的有来有回
本质上nand的底子，和奥腾还是没法比， ...

pSLC本身就是主打耐用性稳定性，美光的XTR、Solidigm的D7-P5810不也就那样，pSLC主要还是工业级用的多。

zzcgh1928

傲腾用户表示突然就拔草了，性能对不起这价格

楚门的世界

VictorTDD 发表于 2023-9-24 15:38
pSLC本身就是主打耐用性稳定性，美光的XTR、Solidigm的D7-P5810不也就那样，pSLC主要还是工业级用的多。 ...

这话是
索性还是踏踏实实用傲腾吧

平凡的大幅

Phil_Libra 发表于 2023-9-24 15:00
但是22110的…我有一个了

这个已经绝版了吧

Phil_Libra

平凡的大幅 发表于 2023-9-24 16:11
这个已经绝版了吧

绝版了，就一小批二手的，后面就是983zet和sz1735了

Phil_Libra

到货了，还是纠结要不要退了

melancholy05

Phil_Libra 发表于 2023-9-24 19:48
到货了，还是纠结要不要退了

还是退了吧，我现在没部署多少生产力软件，不算虚拟内存，系统盘就已经占了160G
320G随便装几个常用游戏和生产力工具就满了，我买这种东西也就是为了频繁改写和开关的东西尽可能快和不担忧寿命/稳定性，绝对不要委屈自己只装系统

Phil_Libra

melancholy05 发表于 2023-9-24 20:22
还是退了吧，我现在没部署多少生产力软件，不算虚拟内存，系统盘就已经占了160G
320G随便装几个常用游戏 ...

320G我肯定够了，只是性能有点失望，另外退货还要出运费

Pau1

Dzzz 发表于 2023-9-22 21:47
本质上还是TLC，软件层面模拟SLC而已，物理特性又不会变，该漏电还是会漏电
再说了，容量缩小3倍，也没人 ...

显然没你说的那么不堪，以下是数码之家某大佬原话

先说直接证据
1：MLC时代，我见过某东芝的MLC flash芯片的手册，手册上明确说明该芯片运行在SLC模式下的时候，耐久度是MLC模式的5倍，考虑到这个耐久度是按照芯片总写入量算的，而SLC模式的芯片容量是MLC模式下的一半，所以PE应该是10倍的关系，符合早期SLC vs MLC寿命的一般规律。
2：早期的芯片有真的SLC芯片，现在生产的很多是可以配置芯片模式的，有些是在芯片生产出来的时候在封装的芯片内部配置，有些则是通过SSD主控安排。而存储单元——浮栅或者电子阱可以看作是一个漏水的水池，SLC模式只需要看是空的还是满的，具体到电压比较只需要看是超过一半电压没有，没有的话视为0，超过了视为1；MLC模式则是分为4档；TLC模式8档；QLC模式16档。很显然档位越多，对漏水越敏感（即容易出错）；档位越多注水就要越发仔细（需要精确控制电子注入，速度慢）；档位越多识别水位高度的时候也需要越发仔细（需要精确的电压比较）。所以说同等条件下，SLC-MLC-TLC-QLC速度是下降的，原生的可靠性也是下降的。这是第一层。
3：虽然我们没有芯片厂家非常深入的内部资料，但是依照原理，还是可以作如下的推断：芯片的写入过程是一个数-模转换过程，逻辑数据转换为模拟电压/模拟的电荷数；读取过程是一个模-数过程，浮栅电压转换为逻辑数据。如果一个芯片被设计为可以配置成不同模式工作，那么内部的数模，模数电路参数应该是可以被配置的，所以从存储单元的的角度讲读写速度可以变快，错误率会下降；如果一个芯片不能这样被直接配置，而是由主控在逻辑上判定，比如原生QLC的存储单元，只要高2位至少有1位是1，则视为高电平，高2位全0，则视为低电平，这样虽然写入过程在芯片内部可能无法提速（实际理论上也有提速的可能，要看给浮栅供电的电路对这种大范围跳变的电压写入时有无优化），但是在读取的时候，主控至少可以少做很多纠错和重读取的工作（因为看作SLC读取的话，漏电和电压不准带来的影响变低了），也可以加速。这是第二层。
4：综上，从原理上讲，SLC模式肯定在性能上有加成；而在寿命上，在只考虑存储单元本身的前提下，浮栅或者电子阱的物理结构确定了，其原生漏电情况和老化特性也就确定了，SLC模式擦写一次和QLC模式擦写一次都是对浮栅或电子阱绝缘层的一次破坏。但SLC只需要分出2个电压等级，而QLC则需要分出16个，仅从这里看SLC的“皮实”程度就要高得多，而且因为SLC电压差异大，在同等电噪声下，信噪比也要好得多。什么叫单元寿命高？不就是能正确读取出数据的能力么？所以SLC并不是浮栅或者电子阱的结构比MLC，TLC，QLC这些更好，而是使用低存储密度，换来了更好的信噪比和对结构老化的容忍能力。这一条也说明了SLC模式在性能和寿命（注意是在降低了存储密度的代价下）都更好。

下面说一些间接证据：
1：SLC cache是在SSD上普遍使用的技术，从MLC时代就有，到TLC时代之后，更是成为性能上不可或缺的技术。这一技术实际上利用了一部分容量做高速缓冲，以应对短时高性能需求，对于家用这种非持续性重负载的场景是一种非常优化而低成本的做法。如果说SLC cache对闪存寿命有非常负面的影响，厂家应该不会引入这一技术了。实际上可能是反过来的，如果一些数据写入后，很快删去，那么可能全程都在SLC cache里面，反而节省了PE，一些以TLC或者QLC模式已经不堪使用的存储单元，用作SLC模式可能还绰绰有余，对于主控而言，就可以废物利用。

最后说点其他的：
1：关于3D闪存，实际上在末代平面闪存（14、15、16nm工艺节点），当时的TLC颗粒寿命受到了极大挑战，因为仅能通过缩小平面结构提升容量，浮栅内部能容纳的电子数急剧减小，到这一代只有几十个电子，而TLC需要识别8个电平，这说明每个电平之间只相差几个电子的电量，因此当时这一代TLC芯片可靠性都不是很好。后来的3D闪存通过多层结构扩充容量，每一层的工艺实际上回到了更早的工艺节点，这使得每个浮栅的电子数重新回到了60-70nm工艺节点的数百个电子水平，因此3D TLC芯片的可靠性得到了大幅度的提升，QLC也变得基本可用。
2：关于寿命，前面讨论的都是从一个单元自身的特性出发的，但作为一个产品（SSD，U盘等），其寿命还依赖于主控的纠错算法。在上面说的15nm工艺节点上，为了配合可靠性很差的TLC芯片，主控逐渐开发出了LDCP纠错编码，虽然3D闪存的可靠性有所回升，但是闪存颗粒随着密度的上升，总体可靠性是下降的，所以主控中各种强的纠错编码还是在不断发展。可以说现在各种TLC，QLC颗粒做成的产品之所以还能比较可靠地使用，很大程度上是靠主控的纠错码（SSD还有更高级的内部RAID等）撑着。虽然说现代的强力纠错码，配合早期的SLC,MLC能达到更为逆天的寿命，但是从实际用途看，并无太大需要。所以早期SLC，MLC老工艺节点弱纠错下的寿命，和现在TLC,QLC新工艺节点和强纠错下的寿命，并没有特别一致的比较基准。此外由于不知道主控在SLC cache中使用了怎样的纠错强度，所以单纯比较SLC cache的寿命和全盘寿命也没有明确的比较基准。
不过有下述结论是确定的：
1：主控越来越强的纠错能力对TLC乃至QLC的SSD或者U盘进行了最大可能的全局寿命托底，SLC cache在明显改善产品对突发性能需求的前提下，并没有对芯片寿命造成明显的额外压力。
2：将MLC、TLC、QLC的芯片（不考虑不良片）配置为（芯片级）或量产为（主控级）SLC使用，在获得了更好的性能的同时，寿命更有保障，这个寿命的保障是降低存储密度换来的。

原帖60楼，链接https://www.mydigit.cn/thread-306235-3-2.html

Pau1

不过这玩意确实是智商税，BOM成本一样敢卖贵2倍，自己DIY一个1T的PSLC盘成本不过4、500RMB而已，虽然只能SATA协议就是了，2246EN官方原生支持把MLC开成PSLC模式

xd809607

layerfsd 发表于 2023-9-23 23:59
好奇怪，哪来的莫名其妙的优越感，我这种时不时买矿渣的是不是就不配上chh了？ ...

说是杂牌感觉没啥毛病，自营还是靠谱点

VictorTDD

Phil_Libra 发表于 2023-9-24 20:25
320G我肯定够了，只是性能有点失望，另外退货还要出运费

pSLC不都这个性能吗，要再好点只能Z-NAND或者XL-FLASH了，不过价格也不划算

fluttershy

melancholy05 发表于 2023-9-22 22:28
模拟SLC也起码有原生MLC的水平吧，电荷量还是比TLC多，像我这种装机什么的不爱给别人后续维护折腾的，如 ...

这玩意没法比 因为以前SLC也就寿命 时代老加主控老 其实速度没快多少
MLC也是太老了 主控限制
只有用TLC模拟MLC的数据 旧时代其实SLC MLC都不好看 因为都是sata

IamAeon

赫敏 发表于 2023-9-22 21:43
优势在寿命。做缓存盘

寿命对比看同价格的产品，总不能达墨三合一对比别人一比一，而应该对比别人同样价格不同容量的产品寿命。

赫敏

IamAeon 发表于 2023-9-24 21:51
寿命对比看同价格的产品，总不能达墨三合一对比别人一比一，而应该对比别人同样价格不同容量的产品寿命。 ...

当然是对比3倍容量的TLC产品。比如sn530开成SLC的写入TB寿命是同颗粒3倍容量TLC的近10倍

同价格比不现实，毕竟市场小
https://documents.westerndigital ... -sn530-nvme-ssd.pdf

冰汐

playclan 发表于 2023-9-22 22:21
当然没啥区别，正常消费级4k就是slc速度

这才是正儿八经SLC的4K速度

VictorTDD

冰汐 发表于 2023-9-25 11:46
这才是正儿八经SLC的4K速度

昂贵的XL-FLASH？

冰汐

VictorTDD 发表于 2023-9-25 12:31
昂贵的XL-FLASH？

Z-NAND

huihuige

测速应该看不出性能优势
优势应该是和SLC转存成TLC数据后的进行比较
PSLC始终是这个速度
TLC转存后就会掉速
在意这个速度的就是对应群体
另外这个确实太贵了
物料是一样的
就是开卡方式不一样
就贵这么多
有点智商税的感觉

幻月

Dzzz 发表于 2023-9-22 21:47
本质上还是TLC，软件层面模拟SLC而已，物理特性又不会变，该漏电还是会漏电
再说了，容量缩小3倍，也没人 ...

不需要更加精确控制电压和读取电压，所以保存时效就更长了，更安全。有密集写入型的需求的人还是有必要入的。

JP_ToKyo

現在的性能都足夠用的吧...除非天天跑分...不如搞個傳家盤不掉盤的更香--

westbobo

SLC cahce本来就是为了应对消费级的需求
消费级谁需要SLC啊。。。
发烧友才几个