SK海力士打算将1cnm DRAM升级至6层EUV， 为未来High-NA EUV设计奠定基础

银花三转

去年8月，SK海力士宣布已成功开发出全球首款采用1cnm（第六代10nm级别）工艺的16Gb DDR5 DRAM，新产品不但提升了性能，还能降低功耗。2025年2月，SK海力士开始量产1cnm DRAM芯片，成为全球首家运用1cnm工艺生产DRAM芯片的存储器供应商。与此同时，三星的1cnm DRAM技术开发也在提速，计划今年末开始量产，并应用于HBM4。



据Wccftech报道，随着三星加快1cnm DRAM的开发和量产工作，SK海力士似乎更加认真地对待竞争对手。SK海力士很可能成为首个将1cnm DRAM技术提升至6层EUV的存储器厂商，从而为市场设定新的标准，并增强自身在消费端和HBM的竞争力。更为重要的一点是，这次升级还将推进SK海力士下一代DRAM技术的开发，为未来加入High-NA EUV设计奠定基础。

相比于DUV，EUV的应用针对于更为复杂的电路，在采用先进制程的逻辑芯片上已经得到了广泛的应用，不过在DRAM技术上仍处于初级阶段。现在的DRAM技术采用的是EUV与DUV层结合的混合方案，而SK海力士则计划将1cnm DRAM完全切换到6层EUV，这使其能够打造出良品率更高、性能更强、利润更高的产品。

目前1cnm DRAM技术还没有用于任何传统的消费端内存解决方案，SK海力士还在探索其他的选择，EUV作为新一代DRAM技术的组成部分，将会长期使用，预计在下一代内存上会有更多的应用。

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KingDon

cnm草泥马？？？