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[PC硬件] 三星宣布首款45nm eflash闪存,擦写次数达100万次

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发表于 2013-5-18 09:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
原文地址:http://www.expreview.com/25582.html
 三星电子日前宣布成功开发世界首款45nm工艺的eFlash嵌入式闪存,相比之前的80nm eFlash,三星的45nm eFlash不仅速度更快,而且P/E擦写次数可达100万次。

  三星电子日前宣布成功开发世界首款45nm工艺的eFlash嵌入式闪存,主要面向各种安全芯片应用,而此前的eFlash工艺主要是80nm,三星的45nm eFlash不仅速度更快,而且P/E擦写次数可达100万次。

  三星电子系统集成电路业务副总金泰勋(Taehoon Kim)表示,三星的45nm eFlash可以广泛应用于各种安全解决方案及移动设备中,包括智能卡IC、NFC IC、eSE嵌入式安全设备及TPM可信赖模块,测试芯片反映出的极高性能将巩固三星在安全IC市场上的领先地位。

  通过在闪存cell架构及操作层级的改进,三星的45nm eFlash相比之前的80nm eFlash的随机速度提高了50%,能耗减少25%。更重要的是,45nm eFlash的可靠性更高,此前业界最好的水平是50万次擦写次数,三星的45nm eFlash的擦写次数可达100万次。

  三星预计在2014年下半年开始基于45nm eFlash闪存的产品商业化进程。


发表于 2013-5-18 10:03 | 显示全部楼层
表示那么多次数也用不掉啊
发表于 2013-5-18 10:13 来自手机 | 显示全部楼层
有需求
发表于 2013-5-18 10:20 | 显示全部楼层
直接20NM 10W次吧,价格肯定便宜~
发表于 2013-5-18 10:20 | 显示全部楼层
这个好,以后就不用担心ssd了,现在都不大敢往ssd上放东西只装了个系统。
发表于 2013-5-18 10:24 | 显示全部楼层
这种容量又做不大 也就做下TPM芯片用用而已  和NAND Flash不是一个级别
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