详教ZEN2－ZEN3内存选择、超频（测试）、FCLK原理，方向指引~
本帖最后由 psone 于 2021-8-10 08:11 编辑AMD锐龙三代处理器内存搭配
自从首发购入三代锐龙系统后，通过一年多的调教发现内存搭配、FCLK的调教对整机性能影响非常大，甚至比CPU频率还重要，由于很多小伙伴刚接触AMD系统，不了解新系统的架构，不懂得如何搭配，更不知道如何正确使用，所以才写这一贴，让小伙伴们少走弯路，少浪费宝贵时间。
先讲一下FCLK大概原理：处理器与内存的数据交换由FCLK总线完成，FCLK速度上限决定了你的系统性能的上限，目前FCLK的频率普遍在1800－1933.
FCLK好比处理器与内存之间的高速公路，内存频率就像公路上车速，当FCLK跑1900频率时，内存频率应跑3800（实际内存频率1900），即1：1是性能最大化。
为什么3800的内存频率实际是1900？早期电脑内存是SDR，单向传送数据，后来升级为DDR后，变为上下传送数据，即上路1900速度，下路1900速度，加起来就是3800，
所以DDR实际频率应除2.
内存选择：FCLK普遍频率在1800，上限是1933，即内存选择频率在3600－3866最优
内存品质：特挑三星BDIE＞南亚新Adie＞CJR＞镁光Edie＞DJR
颗粒特点：三星BDIE：性能强劲，耐高压，超频上限高
其它颗粒：实惠、容量大
通过Thaiphoon软件读取即可见相关信息
http://www.kxdw.com/soft/25071.html
如图特挑三星BDIE是5WB－BCPB
市面上可选择的品牌众多，各家规格参数不一统，用的颗粒也不一样，那么可以先从颗粒下手，再看时序为准选择
内存频率CL值真实延迟（ns）
4666 MHz CL 14 5.994533 MHzCL 14 6.174400 MHzCL 14 6.354666 MHzCL 15 6.424266 MHzCL 14 6.584533 MHzCL 15 6.61
4133 MHz CL 14 6.72
4200 MHz CL 146.724400 MHzCL 15 6.814666 MHzCL 16 6.84
4000 MHz CL 147 4533 MHz CL 16 7.05
4266 MHz CL 15 7.05
4133 MHz CL 15 7.2
4200 MHz CL 157.2 4400 MHzCL 16 7.264666 MHzCL 17 7.27
3866 MHz CL 14 7.283800 MHzCL 14 7.364533 MHzCL 17 7.49
4000 MHz CL 157.5
4266 MHz CL 16 7.52
3733 MHz CL 147.56
4133 MHz CL 167.68
4200 MHz CL 16 7.68 4666 MHzCL 18 7.74400 MHzCL 17 7.713866 MHzCL 15 7.83600 MHzCL 14 7.843800 MHzCL 15 7.894533 MHzCL 18 7.93
4266 MHz CL 17 7.99
4000 MHz CL 168
3733 MHz CL 158.1
3466 MHz CL 14 8.12 4666 MHzCL 19 8.13
4200 MHz CL 17 8.16 4133 MHzCL 17 8.164400 MHzCL 18 8.17
3866 MHz CL 168.32 4533 MHzCL 19 8.37
3600 MHz CL 158.43800 MHzCL 16 8.41
4266 MHz CL 18 8.46
4000 MHz CL 17 8.5 4400 MHzCL 19 8.62
4133 MHz CL 18 8.64
4200 MHz CL 18 8.64
3733 MHz CL 168.64
3466 MHz CL 158.7
3200 MHz CL 148.82
3866 MHz CL 17 8.84
4266 MHz CL 19 8.93
3600 MHz CL 168.96
4000 MHz CL 189
4133 MHz CL 19 9.12
4200 MHz CL 19 9.12
3733 MHz CL 17 9.18
3466 MHz CL 169.28
3866 MHz CL 189.36
3000 MHz CL 14 9.38
3200 MHz CL 15 9.45
4000 MHz CL 199.5
3600 MHz CL 179.52
3733 MHz CL 18 9.72
3466 MHz CL 179.86
3866 MHz CL 19 9.88
3000 MHz CL 15 10.05
3200 MHz CL 16 10.08
3600 MHz CL 1810.08
3733 MHz CL 19 10.26
3466 MHz CL 1810.44
3600 MHz CL 1910.64
3200 MHz CL 17 10.71
3000 MHz CL 16 10.72
3466 MHz CL 19 11.02
3200 MHz CL 18 11.34
3000 MHz CL 1711.39
3200 MHz CL 19 11.97
3000 MHz CL 18 12.06
3000 MHz CL 1912.73
AMD系统由于FCLK限制跑高频内存并不占优势，选择CL值低的3200－4133内存为好如果买三星BDIE颗粒建议购买CL值低和电压低的参数内存，比如3200C14－1.35V或3600C14－1.4V最终选择还得看个人爱好和购买能力。
有些小伙伴如果觉得麻烦，就不需要往下看，只要买一对3600或3800内存在BIOS里调成1：1的FCLK1800：3600内存频率就可以了。
拥有一对不错的内存要调试才能榨干性能！以微星主板X570刀锋为例内存：（nox）3600C18开机DEL进BIOS先设定个稳定频率，好作比较。然后从FCLK的频率下手，全默认下尝试FCLK1900开机，能开机不稳定时可以调试以下几组电压达到稳定状态参考另一贴子调试https://www.chiphell.com/thread-2169656-1-1.html
目标3800C14真1T（3800C14最大性能化）
当稳住FCLK1900时，可以开始调试内存打开BIOS，进入OC页面在内存选项上选Memory Try It !选DDR4－3800－18－22－22－22－42－FCLK－1900MHZ
选好后会自动配好FCLK1900 和3800内存频率还有相关的电压和参数，这里按F10保存重启再回到BIOS页面回到OC页，在内存电压选1.45V（三星颗粒内存电压1.45V起跳－1.6V内都是安全电压，1.5V以上注意散热（加个小风扇）。其它颗粒不耐压，从1.35V起跳到1.45V为安全电压）
BDIE对电压特性：BDIE颗粒内存大多数参数是可以提高电压来降低参数，唯独tRCDRD是天生下来固定的，不吃电压，另外重要的还有两个TrdrdScl、TwrwrScl。通过时序表看到影响内存最大的参数是第一个CL值，这个值可以通过提高电压来获取理想的数值，比如手上三对BDIE内存跑FCLK1900：3800真1T时，保守稳定C16需要1.45V，C15是1.5V，C14是1.55V作参考，实际看手上内存体质为准。
温度：BDIE对温度要求比其它颗粒高，通常运行在50度内相对稳定，温度因素主要是电压和机箱内散热情况，但也有耐高温的BDIE，温度高直接导致测试重复同一时间或进度出错。
再进入到高级内存配置第一步：调试内存一定要过烤机测试，正确步骤先调试出最低fFAW,其作用是跑烤机程序时可以最大节约时间，用TM5测试参数稳定性，快速显示当前问题，当tFAW压至16时跑完TM5anta777 Extreme1则需要100分钟，tFAW向下压参数可从40〉32〉24〉16，先尝试16，不行再24.…………直到3圈过,tfaw在这里只是调节内存加快烧机节省时间，日常必须保持默认，降低此值会导致系统流畅度下降。（包括播放视频卡顿，网站打不开、程序运作不正常或打不开等）
测试软件RunMemtestPro 4.5/TestMem5/ThaiphoonBurner_V16.0.0.5_XiTongZhiJia分享地址：https://pan.baidu.com/s/1i6g-Y49y5PHNmoBlEtTzFg提取码：trfcRunMemtestPro 4.5使用方法：程序默认内核7.0版高级选项里重要的是自动截图，可以设定多久截图以便发现问题，一般路径放桌面截图阀值就是测试百分比，一般日常300%，稳定游戏、影音等500%下面几个选项按需要选择最大内存大小：有些小伙伴内存比较大，那么这个设置要放大才能跑完所有内存（比如64G以上）设置项：16X884（我的内存16G，分16个线程跑，软件会自动分成16分大小，7.0内核推荐CPU是多少线程就跑多少个烧机线程）然后开始烧机看百分比完成测试。
目前新内存测试TMS，非常高效，跑高压3圈无出错即可我把这个程序编程过，直接打开就运行anta777 Extreme1最高压力先解压后右键程序，把程序打开默认为管理员模式打开如果想跑其它模式可以点Load config exit这个程序跑3圈，没压trfc时一圈要46分，压过后要33分出错的解决：出错有两种情况，一种是乱码字，一种是英文errorXXOO乱码字表示有以下几种参数过紧需要放松：trcd/trc/tfaw/以及跟你压过的参数英文errorXX表示不够电压注：测试压力程序TM5的anta777Extreme1远大于RunMemtestPro 4.5，在测试时跑RunMemtestPro 4.5完成500%（3个小时），却在TM5的anta777Extreme1的1圈（33分）就出错，后来放大tfaw到24和trc到55才能顺利完成，但并不代表RunMemtestPro 4.5无实用性，两者测试程序对应考验机制不一样，建议同时使用获得更理像稳定性。
测好tFAW后保存，最好存档超频档里，在BIOS右边第二项，是保存超频后的参数文档，当超频失败时可以马上回复
再进入到高级内存配置关掉Powerdown enable内存空闲时降低频率节能，关掉这个NS延迟会减少0.03－0.05关掉Grear down more,在Command Rate 选2T（真1T、2T在测试压参数时对CL可以为单数或双数，假1T只能双数）主参数尝试设置为14－14－14－14－28－2T保存重启当参数起不来时，BIOS会把默认参数来启动，在屏上有提示，再进入BIOS，1.继续提高电压至正常开机，假如电压来到1.5V以上还是开不了机，2.那么放大tRCDRD值，比如14－15－15－15－30（第三第四时序最好跟第二时序同步，第五时序可以看作前几个时序最大两个的和）不能开机继续2步和1步CR值效能排行：真1T＞2T＞GDM1T
开机到桌面运行烧机，当出错时继续加压，直到过3圈，每次1.4小时左右，这个烧机时间有点长。手上这对内存3800C14－14－14－14－28－2T过3圈后接着保存一下这个超频文档
不同颗粒如何稳定跑到真1T重启电脑开机进入BIOS在内存配置里把2T改1T
向下拉到底看到CAD Drive Strength Configuration（驱动信号）由于跑真1T压力比较大，需要加强信号增强稳定性
1第一组信号增强CAD Drive Strength ConfigurationCLKDrvStren AddrCmdDrvStren CsOdtDrvStren CkeDrvStern
各种颗粒跑真1T信号设置BDIE 60 20 20 24
CJR 24 20 20 24
C9BJZ 120 20 20 24尝试烧机至300%（本人只用了60－20－20－24就过了），如果不能过，继续调用第二组信号增强稳定性如果烧机真1并不是秒错可以用40－20－20－24尝试
2第二组信号增强CAD Bus Timing ConfigurationAddrCmdSetupCsOdtSetupCkeSetup三星BDIE 海力士CJR DJR 可以设置成 63 63 50镁光EDIE C9BJZ,C9BKV可以设置成63 50 50这两组参数只是大概设置数值，稳定情况可以按第一个63或第二个63和第三个50来逐个尝试！
3内存终端阻值配置也可以强化稳定性ProcODTRrrWrRttNomRttPark单面颗粒ProcODT范围是28-53.6,低往高调节找到稳定值.RttNom 关闭，RTTwr关闭，RttPark RZQ/5(48)双面颗粒ProcODT范围是36.9-53.6,低往高调节找到稳定值.RttNom 关闭 RTTwr RZQ/2（120）或者/3（30），RttPark RZQ/1（240）
三组增强信号与性能获取有一点比例分流，在增强稳定也同时也会损失一定性能。另外上真1T的两个有关因素：更新BIOS也许会得到更好的内存兼容性，上真1T变得容易插槽也有会体质：之前插2跟4的内存跑1圈出错，现在把两根内存位置调一下还能过3圈。
看到这里要重点讲一下开真1T和2T，还有GDM1T部分细微分类，通常在英特尔只有1T和2T，但AMD多个GDM1T，1T就是高性能，2T略差，GDM1T，跟2T差不多，是AMD为了稳定才有吧。但真1T在AMD要开是比英特尔难，它不是降频放宽参数就能达成，很看CPU的IMC，跟内存关系小点，有些U直接就能开，有些怎么招都不行，这是体质问题。但通过一些稳定性调整也许能开真1T，但过多的调整和信号加强导致性能必然的减弱。所以能开真1T恭喜你，加一组信号达成也不错，这时就跟GDM1T差不多，如果不是强迫症真1T，还是GDM1T轻松点。
GMD1T可以达成3800C14-14-14-14-28-1.5V（电压低，时序更好看）性能不错，轻松多了。
好多小伙伴私信给我，问题大概是各种开不起真1T讲一下其原因，真1T的关键因素是CPU的IMC体质，然后是内存体质，次要是主板（体质是固定的，微调起到协调促进作用）例如达成真1T需要100分IMC有30分，那么内存体质就要70分以上才能达成100分开真1T反之，IMC有60分，那么内存体质只要40分以上就可以达成，对内存要求没那么高好主板当然也有加成，能不能开真1T很考验整个平台的综合素质。三代锐龙首发的IMC普遍比较差，后期生产的体质有很大改进。
三代锐龙内存延迟对游戏影响也是很大（本人是游戏、办公、影音、多元化玩家）
通过以上设置步骤，达到FCLK1900：3800最高性能化后主参数调整为14－14－14－14－28－真1T－1.52V
这时延迟大概在63－64NS左右对于三代锐龙内存影响延迟最大的参数是TRFC，这参数也是随电压增加而降低，可参考以下图在3800时内存应设285为最优化与稳定值也可以尝试下一档266TRC可以试50－60之间以最稳定性为前提下，其它小参不建议改动烧机好再跑几个3A游戏测稳定性最好。
日常稳定最最重要（我不是极限党）
极限跑一下
到这里完成ZEN2的内存调整发挥算基本完美了
3800C14真1T达成，其难度非常低，并不需要花大钱购买极品BDIE，只是电压比极品的高一点点而已（极品1.45或1.5内）
手上三对内存（十铨4000C18、威刚D60 4133、nox暗黑3600C18）威刚D60体质最好，nox暗黑差一丢丢
FCLK1933下图，很多小伙伴没见过
FCLK到底有多重要？
我们通过简单直观方法比较
一般玩家不懂搭配和了解时认为3000－3200内存就够跑游戏了，然后为了省方便，直接XMP用，这时FCLK1600：3200内存和调试过FCLK1900：3800有什么差别呢？
我拿（刺客信条－奥德赛，古墓丽影－暗影）两个最不吃CPU的游戏跑内含测试程序看看系统性能差异有多大
刺客信条－奥德赛
FCLK1600：3200
平均79，最低44 最高138
刺客信条－奥德赛
FCLK1900：3800
平均83 最低45 最高152
古墓丽影－暗影
FCLK1600：3200
平均123 最低106 最高195
古墓丽影－暗影
FCLK1900：3800
平均127 最低129 最高235
可以发现FCLK对整个系统影响远超CPU频率影响
ZEN3内存搭配建议
展望未来ZEN3的内存选择上建议，目前大多数ZEN2都能FCLK1900或1933，经过一年多时间的打磨，FCLK必然会更高，所以选择内存上可以搭更高频率内存，建议4133－4400低CL值内存是更好的选择。
手上这对内存由于CPU的IMC体质原因只能超上4533频率
强迫症日常3800C14真1T如愿以尝！
希望我的贴子能帮到小伙伴们更上一层楼。
厉害，之前摸索学习了好久。感谢大佬奉献 3800C14一直跑不稳，明天抄作业试试，谢谢大佬！ 这个应该是目前看过最详尽的攻略了，反正我是没精力折腾了，也得感谢楼主的分享 已收藏 楼主有木有阿苏斯案例可供抄作业？c8h+新bios，超过3200都开不了机。。。。。。。 有点强。。。支持一个 镁光不好？
真香条不是很好超吗？ 好帖，已收藏 折腾不动了，等一对DDR5算了 首先感谢楼主的辛苦付出，其次，我想说fclk 1800和1900，内存跑3600和3800，只要cl16的，后面小参不是太难看的那种，除了跑分有点区别，实际使用，真心用不出来卵区别，但是3600cl16比3800c16简单太多了，so…别打我，我等zen3了，这代就这样了 有些小伙伴如果觉得麻烦，就不需要往下看，只要买一对3600或3800内存在BIOS里调成1：1的FCLK1800：3600内存频率就可以了。
我的真香条就是这么设置的。
请教楼主：真香条要抄那份作业？相信很多同学有需求。能 FCLK1900：3800 吗？
点个赞！zen3延期，amd也变牙膏了！ mark一下收藏了[偷笑] 之前一直搞不懂真1T 和 假1T 咋区分 chiyiangel 发表于 2020-8-3 19:44
mark一下收藏了 之前一直搞不懂真1T 和 假1T 咋区分
GMD开着就是假1T，关了手动设置1T就是真1T 终极作业，收藏，就差平台了 已经收藏，感谢楼主的无私奉献 [流泪]我需要4DIMM大板单条16G双面B-die*2站未来的指引。
有希望真1T么。 感谢大佬的分享，很用心。但是我用过你的这个办法，只不过简化了一点去超我的内存（CPU：3960X，主板：creator TRX40，内存：两套芝奇3200C14D。），就卡在18-18-18-42 3733这个频率上了。SOC之类的电压都调整过了，最烦的还是每次内存超频失败后，居然不能自动恢复，需要按主板上的清除BIOS才能开机进BIOS。请问
请问这种情况是内存条出问题了？还是我真的不会调？？ nickywin 发表于 2020-8-3 18:27
楼主有木有阿苏斯案例可供抄作业？c8h+新bios，超过3200都开不了机。。。。。。。 ...
阿苏斯是真香条？ 已经搜藏 dsboylw 发表于 2020-8-3 18:32
镁光不好？
真香条不是很好超吗？
新镁光颗粒很好超，真香条不好超 元首的动物园 发表于 2020-8-3 19:12
首先感谢楼主的辛苦付出，其次，我想说fclk 1800和1900，内存跑3600和3800，只要cl16的，后面小参不是太难 ...
出这贴也是测试内存压力及超频能力，只是为了等ZEN3 南亚新A die建议更新为南亚B die
CJR和美光E die位置颠倒，E die 3800 16 17 17比不上CJR 3800 16 19 19？？？如此众多的品级拿最差的对比？ 谢谢，已收藏 楼主好，我倒是有个问题：
原来用3300X，直接按照计算器设置SoC-1.1，VDDG CCD和IOD-1.05，VDDP-0.95就可以各种稳
刚入了个2001周期的3900X，以上参数不稳，发现Auto倒是可以稳定，不过Ryzen Master的监控，SoC-1.363，VDDG CCD和IOD-1.1451，VDDP-0.9976，这么高？
不是说SOC不能超过1.15么，有点怕怕……
我写在帖子里了
https://www.chiphell.com/thread-2249316-1-1.html 本帖最后由 nickywin 于 2020-8-3 23:35 编辑
psone 发表于 2020-8-3 22:42
阿苏斯是真香条？
gskill 4x16g neo 3600c16，应该是双面cjr。 13354 发表于 2020-8-3 23:29
楼主好，我倒是有个问题：
原来用3300X，直接按照计算器设置SoC-1.1，VDDG CCD和IOD-1.05，VDDP-0.95就可 ...
读取错误，更新一下正试版的BIOS 547737657 发表于 2020-8-3 22:47
南亚新A die建议更新为南亚B die
CJR和美光E die位置颠倒，E die 3800 16 17 17比不上CJR 3800 16 19 19？ ...
哦，了解一下