maniacwj 发表于 2024-8-19 16:07

有没有关于主板供电详细科普的贴子?

以前就是一知半解,现在越来越有点搞不明白了。在哪儿能看到这些玩意的详细科普呢?

比如串联/并联/直出的分析。MOS一上一下/一下两下/两上两下的作用。4相4路输出/4相8路输出/6相直出这些的电流详解。

让我静一会 发表于 2024-8-19 16:11

油管上有个Actually Hardcore Overclocking的频道,你频道内搜phase就能搜到大量硬核解析。

我觉得没必要深究这东西,上下桥的MOS已经很少见了基本都是一体的DrMOS,现在除了价格非常便宜的丐板,供电规模基本都是超模的。

tide~ 发表于 2024-8-19 16:18

基础篇 https://zhuanlan.zhihu.com/p/157891361

lzhdim 发表于 2024-8-19 17:39

问客服也行呗;
否则就查下主板的MOS型号以及个数,看下功率能带动多大的U就行;

maniacwj 发表于 2024-8-20 01:29

tide~ 发表于 2024-8-19 16:18
基础篇 https://zhuanlan.zhihu.com/p/157891361

这个我早就明白了,想弄清楚的是具体在直出/倍相/并联的情况下,每相MOS/电感/电容的实际有效电流,和温度升高情况下的衰减情况,如果有更详细的供电整体科普就最好了。

MOS在一上一下/一下两下/两上两下的情况下,有效输入输出电流和高温衰减怎么算。和DRMOS具体的区别这些。

FishTorres 发表于 2024-8-20 04:15

实在搞不懂为什么搞2上2下,而不是1上3下
上桥是12v,电流非常小的

bigeblis 发表于 2024-8-20 07:17

FishTorres 发表于 2024-8-20 11:55

bigeblis 发表于 2024-8-20 07:17
在哪里得出结论上桥电流非常小?

上桥是12v,下桥给cpu只有1v左右
你说呢

tide~ 发表于 2024-8-20 12:23

本帖最后由 tide~ 于 2024-8-20 12:24 编辑

maniacwj 发表于 2024-8-20 01:29
这个我早就明白了,想弄清楚的是具体在直出/倍相/并联的情况下,每相MOS/电感/电容的实际有效电流,和温 ...

查下你主板上mos管型号,搜下数据表吧;
只能看到单管(不分上下/不串不并)的温度/电流(/固定门控电压)下的曲线图;至于上/下、串/并找原理了解一下就够我们用户级解惑的了吧(例如并是分流-->降低温度);
雾里看花,我也有些想不通的地方:例如温度越高,mos的Id连续电流越大,那么常说的供电过热是指哪部分,脉冲发出部分的IC?我有2台电脑都遇到过供电过热-->CPU Packgae 上下波动几瓦 或 直接掉至TDP数值上(笔记本);

下图是我笔记本的mos参数中的曲线图(对台式主板没什么参考价值)

Montelucast 发表于 2024-8-20 12:30

都是一知半解

bigeblis 发表于 2024-8-20 12:50

tiantian80 发表于 2024-8-20 14:13

bigeblis 发表于 2024-8-20 12:50
峰值是不会有区别的(我认为论峰值的话上桥会更大一些),平均值因为上桥导通时间非常短会显得很低。
但 ...

具体我不是很清楚,只是假设一下上下桥导通是同时进行,不管导通时间多少,上桥12V,下桥1V多,损耗系数按照10%算,输入P*90%=上V*上I*90%=下V*下I=输出P,上V是远大于下V,按公式看,上I确实要远小于下I
如果不是这个原理,请见谅,我只是按自己一些物理基础知识想一下

dcl2009 发表于 2024-8-20 14:29

tiantian80 发表于 2024-8-20 14:13
具体我不是很清楚,只是假设一下上下桥导通是同时进行,不管导通时间多少,上桥12V,下桥1V多,损耗系数 ...

mos选型很重要的一个参数是峰值电流,上桥导通时间窄,需要的峰值电流高,所以有时候需要两个上管

PWM斩波降压,路数越多,工作窗口越窄,上管峰值越高

wjqok 发表于 2024-8-20 14:37

现在好一点的都用十多个脚以上的一体化芯片了,独立3-8个脚功率管的算是比较老款了。

tiantian80 发表于 2024-8-20 14:44

dcl2009 发表于 2024-8-20 14:29
mos选型很重要的一个参数是峰值电流,上桥导通时间窄,需要的峰值电流高,所以有时候需要两个上管

PWM斩 ...

上下桥不是同步导通的?

Montelucast 发表于 2024-8-20 14:54

tiantian80 发表于 2024-8-20 14:13
具体我不是很清楚,只是假设一下上下桥导通是同时进行,不管导通时间多少,上桥12V,下桥1V多,损耗系数 ...

不同时导通,理解错误,公式套用也错误

bigeblis 发表于 2024-8-20 14:55

Montelucast 发表于 2024-8-20 14:55

dcl2009 发表于 2024-8-20 14:29
mos选型很重要的一个参数是峰值电流,上桥导通时间窄,需要的峰值电流高,所以有时候需要两个上管

PWM斩 ...

电流一样,一般是下管并联

bigeblis 发表于 2024-8-20 14:55

dcl2009 发表于 2024-8-20 14:56

本帖最后由 dcl2009 于 2024-8-20 14:58 编辑

tiantian80 发表于 2024-8-20 14:44
上下桥不是同步导通的?

当然不能同时导通,同时导通vcc直接接地

这玩意原理不难理解,有一个惯性组件叫电感,有两个回路

上管导通下管截止,vcc驱动电感,电流产生惯性,这个时候电流在第一回路中运行

然后上管截止,下管导通,电流会在惯性的作用下继续在第二回路中运行

第一回路第二回路有重合,重合部分放置一个电容储能,就完成了斩波降压

以前斩波降压没有下桥mos,只有一个二极管,叫续流二极管,发热太大就换成mos,这俩mos是工作在同步死锁状态,也叫同步斩波

dcl2009 发表于 2024-8-20 15:02

Montelucast 发表于 2024-8-20 14:55
电流一样,一般是下管并联

这玩意高中时候就玩腻歪了,你肯定没自己搭过电路,也没拿示波器看过,算电感、电容、mos还是需要一定实验基础的。

我前一段时间工作刚做了一个两万A的大电流发生器,你猜为啥没选mos或者IGBT做续流?[偷笑]

Montelucast 发表于 2024-8-20 15:53

dcl2009 发表于 2024-8-20 15:02
这玩意高中时候就玩腻歪了,你肯定没自己搭过电路,也没拿示波器看过,算电感、电容、mos还是需要一定实 ...

我猜你就没做过cpu的供电

dcl2009 发表于 2024-8-20 16:04

Montelucast 发表于 2024-8-20 15:53
我猜你就没做过cpu的供电

看来你不知道电容是干啥的,也没遇到过电感饱和的情况····槽点太多,算了,不扯了,你是对的,我确实没做过CPU电源

Montelucast 发表于 2024-8-20 16:07

dcl2009 发表于 2024-8-20 16:04
看来你不知道电容是干啥的,也没遇到过电感饱和的情况····槽点太多,算了,不扯了,你是对的,我确实 ...

你说错了

梦飞思绪 发表于 2024-8-20 16:27

现在的板子供电设计是眼花缭乱的[偷笑]

tiantian80 发表于 2024-8-20 16:37

dcl2009 发表于 2024-8-20 14:56
当然不能同时导通,同时导通vcc直接接地

这玩意原理不难理解,有一个惯性组件叫电感,有两个回路


这么一说我明白了

FishTorres 发表于 2024-8-20 17:10

感谢楼上各位,是我想简单了

bigeblis 发表于 2024-8-20 19:14

Montelucast 发表于 2024-8-20 19:47

bigeblis 发表于 2024-8-20 19:14
同步整流对下桥的导通电阻要求高,并联可以显著降低导通电阻从而提高效率

是这样吧? ...

导通时间比15%左右吧,所以下面的发热是主要部分

maniacwj 发表于 2024-8-20 21:30

dcl2009 发表于 2024-8-20 14:56
当然不能同时导通,同时导通vcc直接接地

这玩意原理不难理解,有一个惯性组件叫电感,有两个回路


能把一个事儿说得简单易懂,真是门技术!

不,是艺术!

我这么理解你看对不对:电容我们只关心它的储能数值就行了。电感部分我没太明白,它也负责变压的工作吗?还是只负责开/关门的工作?

上下桥MOS,因为通过的电流不同,上桥的发热要低于下桥,所以一上二下的设计比较多,二个下桥分担一下工作。
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