binne 发表于 2025-2-2 00:46

wjm47196 发表于 2025-2-1 15:20
不知道缩小差距在何处,明明就是领先业界的
海力士画大饼今年也要搞xstacking类似物搞到400层去,不知道 ...

你说的对,差距在产能。 量大管饱,对于dram和nand很重要。

2yy层,好几家都是第一集团,看市场上什么时候后300+的产品把。 400层,要bond 3片wafer,没那么块。

Nand没有**EUV的限制,看上去几家大厂的技术迭代都很顺利,但是有个市场需求的问题。层数越高,成本越多,压低售价,看到太便宜减产,做高层数的产品,fab填不满,高成本,赚钱少,。。。 走入了 fab做多做少都赚的少的圈圈里面。所以我怀疑有厂家都没有全力做新工艺开发。

至于DRAM,没有EUV很难往下走,或者干脆早2-3代进入 4F2 V-DRAM。
等着看。

ganxy 发表于 2025-2-3 11:49

wjm47196 发表于 2025-2-1 11:21
长江比棒星和海力士都快,xstacking4.0都上架卖了个把月了,其他两家影子都没有
xstacking这波进步不止是 ...

存储单元现在也都是叠叠乐了。海力士的238层是两个119层的的deck,今年上半年准备要量产的321层是3个107层的deck

Sagitar2009 发表于 2025-2-3 12:59

binne 发表于 2025-1-31 21:17
DRAM, 10-20nm 分了1x,1y,1z,1a,1b,1c, 跑的最快的已经在1b了,看数据 CXMT在1z,加油。

NAND,2024年11 ...

各方面被制裁,产量又不能上去,抢啥占有率。。能活下去,能跟得住发展就很好了

ganxy 发表于 2025-2-3 13:46

Sagitar2009 发表于 2025-2-3 12:59
各方面被制裁,产量又不能上去,抢啥占有率。。能活下去,能跟得住发展就很好了 ...

去年四月已经明确了,要投资30亿美元扩产,估计是要国产设备了

VictorTDD 发表于 2025-2-6 13:36

本帖最后由 VictorTDD 于 2025-2-6 13:43 编辑

ganxy 发表于 2025-2-3 11:49
存储单元现在也都是叠叠乐了。海力士的238层是两个119层的的deck,今年上半年准备要量产的321层是3个107 ...
存储阵列早就多deck了,又不是现在才有。另外,海力士并不是等分deck,每个deck的AWL是不同的。

VictorTDD 发表于 2025-2-6 13:42

binne 发表于 2025-2-2 00:46
你说的对,差距在产能。 量大管饱,对于dram和nand很重要。

2yy层,好几家都是第一集团,看市场上什么时 ...

4xx、4yy不需要三个wafer bonding,3xx也不是每家都做,目前的roadmap看,三星、美光、长江都会跳过3xx。

azqjaaa 发表于 2025-2-6 17:02

国产加油!支持国产!
支持长江存储!
支持长鑫存储!

kti1234 发表于 2025-2-6 17:10

静候tipro9000的4t版本。主要2t真的太小了

undefinedchip 发表于 2025-2-6 23:44

既然国产了能不能让哥们便宜点[流泪]

ukey512 发表于 2025-2-6 23:49

现在我公司和个人装机,都是用国产内存和SSD,其实就是致钛和光威长鑫。能支持一点就是一点。

yuanico02 发表于 2025-2-7 01:05

这俩半导体企业是真的争气,完全不是那种只能靠国产化采购才能活的企业。兆芯啥的好好学学。
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