长鑫ddr5是16nm，长存TiPro9000是294层

binne

wjm47196 发表于 2025-2-1 15:20
不知道缩小差距在何处，明明就是领先业界的
海力士画大饼今年也要搞xstacking类似物搞到400层去，不知道 ...

你说的对，差距在产能。 量大管饱，对于dram和nand很重要。

2yy层，好几家都是第一集团，看市场上什么时候后300+的产品把。 400层，要bond 3片wafer，没那么块。

Nand没有**EUV的限制，看上去几家大厂的技术迭代都很顺利，但是有个市场需求的问题。层数越高，成本越多，压低售价，看到太便宜减产，做高层数的产品，fab填不满，高成本，赚钱少，。。。 走入了 fab做多做少都赚的少的圈圈里面。所以我怀疑有厂家都没有全力做新工艺开发。

至于DRAM，没有EUV很难往下走，或者干脆早2-3代进入 4F2 V-DRAM。
等着看。

ganxy

wjm47196 发表于 2025-2-1 11:21
长江比棒星和海力士都快，xstacking4.0都上架卖了个把月了，其他两家影子都没有
xstacking这波进步不止是 ...

存储单元现在也都是叠叠乐了。海力士的238层是两个119层的的deck，今年上半年准备要量产的321层是3个107层的deck

Sagitar2009

binne 发表于 2025-1-31 21:17
DRAM, 10-20nm 分了1x,1y,1z,1a,1b,1c, 跑的最快的已经在1b了，看数据 CXMT在1z，加油。

NAND，2024年11 ...

各方面被制裁，产量又不能上去，抢啥占有率。。能活下去，能跟得住发展就很好了

ganxy

Sagitar2009 发表于 2025-2-3 12:59
各方面被制裁，产量又不能上去，抢啥占有率。。能活下去，能跟得住发展就很好了 ...

去年四月已经明确了，要投资30亿美元扩产，估计是要国产设备了

VictorTDD

ganxy 发表于 2025-2-3 11:49
存储单元现在也都是叠叠乐了。海力士的238层是两个119层的的deck，今年上半年准备要量产的321层是3个107 ...

存储阵列早就多deck了，又不是现在才有。另外，海力士并不是等分deck，每个deck的AWL是不同的。

VictorTDD

binne 发表于 2025-2-2 00:46
你说的对，差距在产能。 量大管饱，对于dram和nand很重要。

2yy层，好几家都是第一集团，看市场上什么时 ...

4xx、4yy不需要三个wafer bonding，3xx也不是每家都做，目前的roadmap看，三星、美光、长江都会跳过3xx。

azqjaaa

国产加油！支持国产！
支持长江存储！
支持长鑫存储！

kti1234

静候tipro9000的4t版本。主要2t真的太小了

undefinedchip

既然国产了能不能让哥们便宜点

ukey512

现在我公司和个人装机，都是用国产内存和SSD，其实就是致钛和光威长鑫。能支持一点就是一点。

yuanico02

这俩半导体企业是真的争气，完全不是那种只能靠国产化采购才能活的企业。兆芯啥的好好学学。