中韩NAND闪存技术差距收窄 已缩短至两年左右

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近年来，存储器半导体市场的局势逐渐发生了变化，韩国两大存储器巨头三星和SK海力士正面临来自中国厂商的激烈竞争，感受到了更大的竞争压力，技术差距也在不断缩小。

据Business Korea报道，有业内人士透露，随着中国加大了对存储器半导体行业的投入，经过了多年的发展，目前与世界领先企业的NAND闪存技术差距已缩短到两年左右，不过DRAM仍保持原有的距离，技术差距大概在五年。主要原因是，NAND闪存技术的壁垒相对低一些，使得追赶的速度更快，而且还在不断加速，因此差距缩小得更为明显。

国内最大的存储器半导体企业长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC闪存芯片，名为X3-9070。长江存储也领先于三星和SK海力士，实现了更高层数的NAND闪存芯片的量产，回击了外界质疑的声音。据了解，去年一年里，来自政府与国有投资基金的投入就达到了9万亿韩元（约合人民币499.5亿元）。持续且大量的资金投入支持确实能取得效果，一方面是技术的追赶，另一方面是更快的市场渗透

此外，随着半导体电路小型化逼近极限，国内可能会抓住另一个缩小技术差距的机会，就是先进封装技术，高性能、多芯片的封装被视为突破半导体小型化限制的关键。中国大陆是全球第二大封装技术市场，有着较为完善的生态系统，长电科技、通富微电和华天科技都进入了全球十大半导体封装企业的前十名，而韩国没有一间公司出现在榜单上。