三星透露1.4nm工艺细节：将增加纳米片数量

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去年三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上，公布了未来的技术路线图，其中SF1.4（1.4nm级别）工艺预计会在2027年量产，同时还会加速2.5D/3D异构集成封装技术的开发，为代工服务提供整体系统解决方案。

据DigiTimes报道，近日三星代工副总裁Jeong Gi-Tae在接受媒体采访时透露，正在开发中的SF1.4工艺技术会将纳米片的数量从3个增加到4个，有望显著改善性能和功耗的表现。



增加每个晶体管的纳米片数量可以增强驱动电流，提高性能。更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，增强其开关能力和操作速度。此外，更多的纳米片可以更好地控制电流，这有助于减少泄漏电流，从而降低功耗。此外，改进的电流控制也意味着晶体管产生更少的热量，从而提高了功率效率。

三星在去年6月量产了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。明年计划带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。到了2025年，三星将会开始大规模量产SF2（2nm）工艺。

台积电计划在2025年量产N2（2nm）工艺，而英特尔则争取在2024年量产Intel 20A工艺，这两款工艺都将引入GAA架构晶体管设计。

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