关于积热我说一下自己的回忆

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在我的记忆中积热一词的规模使用源自3代酷睿的高科技硅脂。

那时起英特尔处理器散热明显瓶颈在顶盖，从此一门手艺也开始在超频玩家群体普及，就是“开盖换液金”。超频社区流通各代英特尔处理器的开盖用支架的3D打印图纸，甚至会小规模量产开盖器。

甚至于9代换回钎焊都相对高热，当时还出现了英特尔用的是低温焊料的所谓软钎焊导热率不如AMD的所谓硬钎焊的说法。
也就是说，就我的记忆，直到9代酷睿，积热都是英特尔一方的。

直到10代英特尔用了削die的工艺，才大幅改善顶盖的散热。

硅片里，真正被蚀刻、填充、掺杂赋予其逻辑电路功能的只有薄薄的一层，对于常规封装来说，逻辑层位于封装的硅片的底部跟基板相贴，上方厚厚的硅阻碍散热同时没有实际功能，在工艺的支持下，削薄这部分硅就能大大改善散热。

这个非常好理解，所以在AMD变成顶盖散热较差的一方时，我也期待AMD什么时候掌握这门削die手艺。
而且，我现在仔细想想，其实AMD已经有了这个技术了，3DV上为了在保持原封装高度，本身就是削了Zen3的硅片，再叠上缓存的。
换句话说，这个工艺对AMD并不是秘密。

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Rainput 发表于 2022-9-3 17:32
近些年的cpu积热主要是ccd的面积小导致的，硅脂钎焊的差异跟ccd面积比不算什么。

楼主提到的八九代酷睿那 ...

3600的待机功耗本来就比8700K高得多呀

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任何材料导热率都不是无限大的，单位面积的导热量大概就是
削die+钎焊>不削+钎焊>不削+硅脂

至于说单位面积功耗的增长，这个一半当然是现代工艺密度提高和功耗降低不同步，另一方面当然是A和I双方不断提高产品功耗的形式竞争，而PC机箱宽阔的空间也允许一定程度的拓展功耗上限。与之对比，苹果也在不断改进工艺，而且工艺库选择的密度比AMD同代工艺产品更高，但是低压力外加手机有限体积散热难以改善，其手机芯片功耗基本不增长，也就不存在单位面积功耗的增长了。

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yy323818 发表于 2022-9-3 21:55
积热的本质就是散热跟不上发热。关键目前两家的发热功耗越来越大，不管怎么加强导热都已经到极限了！如果现 ...

大小核后应该会趋向极端化
大核会牺牲能效追求绝对性能，而多线程性能靠能效小核在有限的TDP下撑出来。

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叹息之墙 发表于 2022-9-4 11:36
帮你回忆一下

这又不是同功耗对比……
只看TDP 9700K是95W，3700X是65W。