国产最大容量新型存储器芯片问世

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电阻变化那是忆阻器么

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好吧，感觉还是相变路线的，类似3DXPiont。

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General51 发表于 2024-10-4 12:38
这些就像傲腾，也就是大厂预算充足才买得起了
从“10倍寿命”来看，当然不知道是和SLC还是QLC作对比。

上下文来看，同类产品是国内此前只有Mb级别的，那肯定不是闪存了。

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MolaMola 发表于 2024-10-4 14:29
感觉是新闻稿的文字游戏
这个Mb级别应该只是对比国内“电阻变化的原理”的NVM吧 ...

如果前后同类产品指的不是一个东西，这文字游戏也太大胆了
不仅是同一句话，而且中间还用了“且”。

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醉剑渡凡尘 发表于 2024-10-4 14:20
别看见消息就高兴，这玩意就算真能投入市场，大概率也不是消费级的价格

其实就算是傲腾的价格，其实现在也不是那么没用了。
2块钱1GB对硬盘来说很贵，但是对内存来说很便宜啊。

我觉得很适合用于服务器上的CXL内存，受限于CXL带宽的关系速度不需要多快，而既然CXL内存主要用于扩充容量，那么可以随机访问的存储技术中傲腾差不多就是最便宜的。

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exdsoft 发表于 2024-10-4 14:59
傲腾可惜了, 那怕是小容量做系统盘, 以是成倍提升PC性能

现在就有用傲腾做系统盘的呀，无感。
windows没那么吃硬盘性能。

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醉剑渡凡尘 发表于 2024-10-4 15:18
傲腾这么干过，然后傲腾死了

此一时彼一时了，那时分级内存还是为了分级而分级
而现在从GenZ到CXL3.0，技术已经往真正需要分级内存发展了。

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jinyongli 发表于 2024-10-4 15:05
是不是ReRam那种

从券商信息获知，新存科技搞的路线是PCM
https://m.cls.cn/detail/1466865

相变存储器PCM：有望突破存储工艺物理极限，新存科技3D PCM产业化在即。PCM利用相变材料可逆转换实现信息存储，研究表明相变材料在2nm厚度仍可发生相变，有望突破存储工艺的物理极限；3D PCM有望在数据中心服务器领域大规模应用。产业化方面，英特尔与美光合作生产的3D Xpoint产品业务高开低走已停止，国内新存科技依托创新中心核心技术及人员，正在大力推进3D PCM国产化，预计至2024年底开始实现规模量产。

国内搞阻变的两家都没听说过……

阻变存储器RRAM：eFlash替代正当时。RRAM是以非导性材料电阻的可逆转换为基础的非易失性存储器，作为结构最简单的存储技术，其优势在于性能容量和成本良率之间较为均衡的表现，而劣势在于芯片的可靠性问题。产业化方面，国外的松下、英飞凌和国内的兆易、昕原为主要参与者，其中独立式RRAM在工业级小容量存储市场有所应用，嵌入式RRAM已逐步实现对模拟芯片、MCU、SoC中eFlash的替代，未来有望成为CPU的最后一级缓存。