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[CPU] 9000X3D 处理器将颠倒 CCD 和 3D 缓存芯片位置,以改善散热效果

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发表于 2024-10-27 00:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
IT之家 10 月 26 日消息,AMD 新一代“游戏传奇”处理器 R7 9800X3D 将于 11 月 7 日发布。

AMD 爆料者 @Hoang Anh Phu 前几天就表示,AMD 将锐龙 9000X3D 处理器上使用的技术称为第二代 3D V-Cache 技术,这意味着它将与 Zen 3/4 上的使用的第一代 3D 缓存技术有所不同。

@HXL 今日爆料称,AMD 锐龙 9000X3D 处理器采用了“倒置”的 CCD 与 3D 缓存,简单来说就是把 3D 缓存层放在了 CCD 的下面,而老款则是放在 CCD 上面,这样可以让 CCD 和顶盖充分接触,从而改善散热表现,从而让超频成为可能(IT之家注:AMD 在推出初代 X3D 处理器时就直言是因为温度过高才限制超频)。

就目前已知信息,AMD R7 9800X3D 将采用 8 核 Zen 5 配置,加速频率达 5.2GHz,具备 96MB L3 缓存,总计 104MB 缓存。相比 R7 7800X3D,9800X3D 游戏性能提升 8%,多核创作性能提升 15%。



第二代······?希望还有其他改进吧
 楼主| 发表于 2024-10-27 01:14 | 显示全部楼层
KazamiKazuki 发表于 2024-10-27 01:03
有人放大看了说是zen5ccd的x3d tsv通孔数量只有前两代的1/3,确实是有变化。不过是不是真的放下边了就不知 ...

也就是 工艺 封装难度还降低了?
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