传三星HBM3E通过英伟达认证， 或推动DDR5内存2024Q3价格上涨

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此前有报道称，美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品。其**光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证，并获得了订单。不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。



据TrendForce报道，已经从多家供应链厂商了解到，三星的HBM3E很快会获得认证，将在2024年第三季度开始发货。由于三星会将至少20%到30%的产能转移到HBM产品，进一步收缩供应，很可能会推动DDR5内存价格上涨。

有消息称，三星的部分供应链合作伙伴最近收到了尽快下单和准备产能的信息，预示着三星的HBM产品在下半年会顺利出货，也意味着三星内部会加快DRAM芯片的产能配置，将生产线的重心转移。随着人工智能（AI）市场的快速增长，HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度，已经变得越来越重要。

三星原本预计2024年第二季度就能通过英伟达的认证，但是最后推迟了，不但落后于SK海力士和美光，而且导致HBM产量低于预期。有市场人士担心HBM3E的供应不足，从而影响英伟达H200在2024年第二季度的出货。

新闻来源：https://www.expreview.com/94817.html