台积电快速推进美国工厂二期工程 2026年10月入驻设备，目标2027Q4量产

银花三转

今年3月，台积电（TSMC）宣布，计划增加1000亿美元投资于美国先进半导体制造，包括了3座新建晶圆厂、2座先进封装设施、以及1间主要的研发团队中心。最近台积电加快了亚利桑那州凤凰城Fab 21的项目，开工建设第3座晶圆厂，为此还推迟了海外其他地区的建厂计划，将这部分资源转到了美国。



据TrendForce报道，随着美国政府宣布计划对半导体征收100%关税，同时美国制造的芯片将获得豁免，为此台积电正在快速推进美国工厂二期工程，以满足当地的生产要求。有消息人士透露，Fab 21的第2座晶圆厂预计2026年10月开始入驻设备，预计2027年第二季度建成一条迷你生产线，并在2027年第四季度开始量产，早于原计划的2028年。

按照之前的说法，台积电计划在Fab 21附近建造两座专用建筑，在当地提供先进封装服务。首个先进封装设施AP1计划2028年开始兴建，与Fab 21的第三阶段建设项目同步，可以为N2及更先进的A16工艺服务。第二座先进封装设施AP2将与Fab 21的第四/五阶段同步，但是还没有具体的日期。

据了解，台积电首批引入的封装技术为SoIC和CoPoS，并非现在经常谈及的CoWoS。

https://www.expreview.com/101103.html