闪迪、三星和SK海力士押注HBF， DRAM领域的下一个战场？

sun1a2b3c4d

https://www.expreview.com/102655.html


在今年初举行的投资者日活动上，闪迪介绍了HBF技术，这是其经过带宽优化的NAND产品。闪迪还成立了技术顾问委员会，以指导HBF技术的开发和战略。随后闪迪与SK海力士决定共同制定HBF标准化规范，为下一代人工智能（AI）推理提供突破性的内存容量和性能，并探索创建高带宽闪存技术生态系统。

据TrendForce报道，过去几年机械硬盘（HDD）经历了向热辅助磁记录（HAMR）技术的艰难过渡，加上作为海量数据存储基石的近线硬盘（Nearline HDD）因数据中心存储设施需求暴增出现供应短缺，使得大容量QLC SSD成为了一种更具成本效益的替代方案。与此同时，HBF也被视为克服AI集群存储容量瓶颈的关键技术，大家都想寻找容量、速度、成本、能效之间更为平衡的存储产品。

HBM很好，但是也很贵。HBF的设计思路类似于HBM，两者有着相似之处，都是利用硅通孔（TSV）技术垂直堆叠多个芯片。同时两者共享了电气接口，不过适配的介质从DRAM切换至NAND，相当于高带宽NAND闪存。不过由于协议略有变化，所以不完全兼容。HBF实现了8层到16层堆叠，可以部分替换HBM，通过逻辑芯片和中介层连接到GPU/CPU/TPU，从而提供HBF+HBM的自定义组合产品。

闪迪和SK海力士的目标是2026年下半年发布HBF样品，预计首批搭载HBF产品的AI推理系统会在2027年初亮相。另外一家存储器巨头三星也在行动，已经开始对自己的HBF产品进行早期概念设计工作，不过暂时还没有提供时间表。

有业内专业人士表示，HBF将与HBM 一起成为主要的下一代存储技术，推动半导体制造商的增长。未来AI架构将采用多层级存储体系，其中GPU将以互补配置整合HBM与HBF，标志着AI计算和内存融合新时代的到来。