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本帖最后由 momoka 于 2025-11-25 16:07 编辑
序
新品遥遥无期，导致把手伸向之前不感兴趣的魔改到1700平台的hx系列。并且为了增加体验选择了核心直触。
折腾目标
模拟普通13900K，也就是58 58 55 55 55 55 55 55的大核心和43+小核心，内存4000+收参数，在可接受的电压和温度内
平台
cpu：q1lp，闪电家带直触扣具
主板：华硕stirx z690-A ddr4
散热：瓦尔基里C360，by 0.08mm，asetek 等多个冷头，360分体水冷（45mm冷排+P12E*2+gt2150*1，不同型号风扇目的是减弱拍频），带大型（2L）水箱和独立水泵。
硅脂：利民tf7,九州风神自带，信越7921/7868，霍尼韦尔7950sp相变等多种硅脂
内存：炫光星舰ddr4 3600C14 16*2G
结果
1.该个体体质一般，在可接受的1.4V socket电压（等效1.35v左右的vcc电压或1.3v左右的die电压），LLC6（实际满载显示1.359~1.368V），无法完成P核心55倍频下的R15测试，不过可以完成R23测试。小核心和ring相对理想，可以完成44和50倍频，稳定性尚可。R15只能跑过54倍频。
2.高频特性比较差，即使关闭HT也仅能维持跑5.6G左右，最强核心在1.5v socket下也仅能跑到5.8~5.9G。万策尽也没法模拟14900K。
3.需要比正式板高的多的电流来跑avx相关的高频，比如360A电流仅能跑到4.7~4.8G的R23，但是非avx程序比如R15此时能跑到5.3G
4.在有电流墙或者功耗墙的情况下，P核心降频比正式板更加剧烈，而小核心不降频。正式板是P和E都会降频的。
5.在华硕主板上，bios内部分调节无效，包括功耗和acll这俩重要设置，电流有效。我是用了SCEWIN工具编辑了bios的nvram部分，强行把pl1和pl2改成4095875来解锁功耗墙，以摆脱对xtu的依赖。利用电流墙来限制功耗和频率，以免玩脱。
6.在无限功耗和360A电流墙下，可以得到一个目标中的P核心58 58 55 55 55 55 55 55，E44，ring 50的模拟13900K，R23 38000+,R15 6200+，各方面略强于默认ids 13900K的玩意。如果放开电流墙，R23 41400，R15跑不过。
7.实测4条双面bdie可以正常使用，甚至能跑正式版类似体质的3600G1。两条双面4200亮机，稳定4100C15，soc 1.2~1.3v，cpu vddq 1.35v,没仔细测试。soc电压或者cpu vddp两个，或者其中一个貌似过高（比如大于1.4）可能反而更不稳定，甚至点不亮，所以4200一直搞不定。
8.闪电的裸触扣具应该有较好的安全冗余，说人话就是正常散热扣具拧紧的话也不会对核心造成损伤，但是压力可能有相当部分是主板针脚提供的，可能压力并不大。
9.使用硅脂填充时候的效果不太好，尤其是几个小时后，温度就会失控，说是啥“泵出效应”，部分核心跑到100度，反复安装冷头和换冷头，换硅脂，都改善不大，温度远比想象的高，本来还以为裸触会比钎焊还低一截。第一次换相变的效果也不佳，温度比硅脂还高10度。第二次换7950sp后好挺多，几个小时后，最高核心比硅脂温度低一截，至少不会触碰100度了。所以不上液金的话，对此类小面积高温裸触核心，务必使用相片导热材料。
10.软显功耗明显偏低，软显300w情况下，功耗仪输入功耗高达470w（电源钛金效率），根据经验如果是正式版139/149同状态下起码软显330~350w，可能这也是我觉得裸触温度明显比想象高的原因之一。
11.暂时没体会到平底冷头比如by 0.08mm的优点，甚至asetek的凸底冷头部分核心温度更低，这个还需要多测试。可能是扣具压力不够导致。对压力敏感，轻微的某个方向螺丝转动都会有温度明显变化。
感想
达成预定目标，可以当一个没啥潜力的13900K用，无可感知的bug。比起一些需要手动关闭cep，关闭c状态节能，调节dlvr的的es来说，至少是个比较正常的U了。
因为有相当部分主板的bios锁了部分调节，需要xtu，或者需要手动解锁（利用SCEWIN等工具，可以查网上教程，现在已经比较容易了，不会比x99鸡血难），故不推荐小白使用。
另外一直有种错觉，现在的win10和win11对大小核心里的8P型号做了优化，即使是auto的异类线程调度，现在游戏也能把负载比较好的往前8个线程集中，而我的14600KF总觉得这方面默认调度没有8个P好，线程更容易分散在小核心上，加上核心数量和缓存的差距，某些测试里5.5G内存4100C15的q1lp容易比5.9G内存4400C15的灰烬14600K稍好。
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310112100042806
发表于 2025-11-25 15:26
