本帖最后由 seasky002 于 2020-11-25 16:32 编辑
置顶： 特别鸣谢：林大（有时间的话，建议认真看完B站林大板厂没有说的秘密全系列视频） 特别鸣谢：茅山道士、SIN、麦香、肥鸭、孔大、江总、弯弯、Endymion、老喵等大佬的指导和分享 特别鸣谢：瓜瓜、鲁哥、逸哥、雷总、陈哥、麦兜、Mac、淡入淡出、干梦麟、小雨姐等群友参与讨论和验证了很多方法，补充了很多内容 特别鸣谢：瓜瓜：瓜总和我一起验证了1usmus摸甜点电压以及SA PWM降sa io等方法。
一、内存超频准备工作的几点提醒 （一）正确安装CPU（真的要写这个，我是被秀了） Intel主板的针脚实在太脆弱，CPU安装不到位，会经常性遇到内存掉通道、高频开不了、烧机不稳、卡自检等情况（不幸的是，这些情况我都遇到过了....）。 CPU安装的注意事项如下： 1.竖向将CPU放入插槽，这样放置可以避免悬空 2.拧好CPU散热器螺丝，注意不要过紧或者过松，最好是加弹簧或者软垫片 3.检查是否安装到位的方法：选择一根体质较好的内存（单面8g bdie、djr、cjr等可以开较高频的条子），依次插A1A2B1B2四个插槽，看高频情况下（如bdie4600+）是否能够连续稳定过自检开机。10900K的IMC通常都可以支持开到4600-5000的高频。 相关知识点的详细说明请观看林大-板厂没有说的秘密 （二）更新主板BIOS MSI的主板BIOS更新较快，最新的BIOS对内存超频的支持更好，这一点请不要忽略（林大最近在忙着ZEN3，已经有一个多月没更新BIOS了）。 （三）上机前检查并清洁内存金手指。 这一点请不要忽略。 （四）稳定的CPU和ring有助于高频烧机过测 10代在Z490主板强力的支撑下能够达到更高的内存频率，但是内存高频烧机经常会不稳定，常见的现象包括tm5和MT等软件烤机出现报1错、死机等现象，有一些情况下通过调整sa io 和内存电压仍然不能过测，此时建议将CPU和ring超稳定，并且简单的FPU30分钟过测是不够的，建议至少通过Cinebench R20 30分钟的压力测试。 此外，最近在双面bdie进行tm5 anta777extreme以及MT6.1烧机测试的过程中，出现调节sa io、内存电压不能过测，调节CPU电压过测的情况。 ------------------------------------------------------------------ 二、内存根据体质强弱插好插槽 即使是特挑的顶级内存套条，仍然会有体质差异，同时主板插槽的信号差异也非常明显，内存体质强弱插错会有几种情况 1）某些关键参数如trcd、tras、 trfc、tfaw出现与颗粒特性不符的情况，压不动、卡自检 2）烧机不稳定，即使是放松参数也无法稳定，类似4800C18XMP的高频条也有插错插槽烧不了机的情况 3）烧机过测后再开机卡自检 两根内存，如遇到上述情况可交换插槽后再验证 四根内存，请参考麦香文章测量体质后插好插槽 ------------------------------------------------------------------ 三、使用tm5 1usmus cfg摸甜点电压的方法 内存在较高的频率下，与内存烧机稳定性强相关的电压SA、IO和内存电压的调节和平衡往往是难点，我遇到的情况 1.SA电压与内存有互补关系，提高SA电压无效的时候可以提高内存电压，同样提高内存电压无效的时候，可以通过提高SA电压进行补充 2.IO和内存电压的互斥，通常提高IO电压可能需要降低内存电压，同样提高内存电压可能需要降低IO电压 在使用TM5 1usmus cfg 烧机测试的过程中，发现该cfg相应的test序号报错与三电压的缩放有着较强的关联关系，在肥鸭和麦香等大佬指导下，以及各位好友共同测试验证下，针对性总结提炼了三电压的调节方法，在16g*2和8g*2bdie颗粒的适用性较高，具体的方法如下： 第一步：设置目标频率和第一时序，SA、IO auto，调节内存电压至开机 第二步：固定sa io为auto推荐的值 第三步：运行TM5 1sumus cfg烧机，针对报错的序号参照下表进行电压调节 注 意：拉紧二三时序后不适用
以下是三个频率过测的场景，实际测试过测的场景太多了，都是笔记，就没有整理了。
------------------------------------------------------------------ 四、MSI Z490的一些特有内存超频功能 （一）内存快速启动禁用或Slowtraining 1.内存快速启动开启会经常性遇到开不了高频、烧机过测重启卡自检、时开时不开等类似的情况，主要原因是快速启动省去了自检，也就是CPU和内存的沟通以及HW的调整，因此建议直接禁用（高手可忽略）。 2.MSI在Z490BIOS 内存快速启动功能增加了slowtraining功能，按照林大的说法是最完整的自检（此处经林大提醒，原视频是说CPU、主板和内存之间进行充分的沟通的意思，s与ROG主板“内存快速启动禁用+MRC快速启动禁用+MCH完全检查开启“不一样，是MSI独有的功能，）本人已经习惯长期使用Slowtraining。 附BIOS调节图 （二）关于MEMORY FORCE快速测体质功能的补充说明 1.在测试单面颗粒的8G内存条的情况，既要看开机的电压又要看MF值随电压的变化趋势， 体质顺序从强到弱为： 最强：开机电压低、吃电压MF值涨 次强：开机电压高、吃电压MF值涨 次弱：开机电压低、吃电压MF值稳定 最弱：不吃电压MF值波动 2.由于内存颗粒体质的差异，可能出现MF过高影响判断体质结果情况，如MF达到30+，建议通过降低sa io电压、拉紧时序后，将MF降到25-27的水平，以提高测量的准确度 3.MF测体质的SA IO电压不宜过高，过高的sa io 电压会增强MF信号，可能会出现类似2的情况，建议固定为MSI AUTO的值。 4.在4400+以上的频率使用MF判断体质不准（这在单面和双面bdie上面都有表现） （三）关于调节SA PWM烧机过测的案例 （BIOS选项：OC—Digitall Power—CPU SA Switching Frequency） SA PWM能够促进烧机的作用在越来越多的测试中得到证实，求证过林大板厂出场的默认值是400或500，可以尝试提高至600、700、800，测试的案例如下： 案例1.提高SAPWM降低sa io电压 双面bdie4400 16 17 sa pwm auto和700的参数对比，sa io 显著降低，同时逆向验证，sa pwm由700调至auto，TM5 和MT出现秒错、死机、蓝屏等，无法烧机。 测试一：Sapwm auto Sa1.52 io1.4过anta777heavy5opt 3cycle测试 测试二：Sapwm 700 Sa1.3 io1.38过anta777ex3cycle和mt6.1测试 案例2.提高SAPWM助力稳定烧机 1.单面bdie8g*2 4700 16 18过测tm5 1usmus和mt100% 在sa pwm auto的情况下，调整三电压以及放宽trcd和二时序的参数无法通过测试，调至700，稳定过测 2.双面bdie 4500 16 17 sa pwm 800过anta777ex3cycle测试 在sa pwm700的情况下不管怎么调整电压（CPU、SA IO 内存电压）甚至放宽二时序的参数都不能过ex第一圈，然后把sa pwm调到800 3圈过测。 此外，在四根单面bdie烧机曾经尝试过900，能通过anta777ex 1cycle的测试，忘记存图了。1000也多次尝试，会出现系统极不稳定的情况。
（四）MemoryTry It（MTI）功能的使用 MTI相当于深度XMP，MSI相比其他板厂在内存超频方面下了比较多的功夫，主要体现在MTI，相比XMP会载入更多的参数（MR值、二三时序、ODT等），主流内存厂商以及使用bdie、cjr、c9等常见颗粒的内存条都可以通过MTI简单达到高频，至于参数能够压到多紧，就看内存条的体质和个人的技术了，MTI功能的使用方法如下： --s1.内存快速启动禁用或slowtraining --s2.使用MTI功能选择要达到的频率 --s3.SA、IO 电压auto --s4.内存电压使用MTI推荐的电压 --s5 F10保存重启开机，若不能通过自检，内存电压每次增加0.01至通过自检开机 --s6 如果加内存电压不能通过自检开机，增加sa 和 io 电压，频率较高的情况下可以直接开sa 1.65 io 1.6 ------------------------------------------------------------------ 翻看林大的发帖和回帖，总结了下降低延迟的三种调节方法，可以一起使用，简称“林大三招” 初始值：收紧一二三时序的延迟 42.7ns
第一招.降低rtl int iol int 约降低1ns的延迟 41.7ns rtl int的降低根据auto的值每次减1至能够开机的最低值，B通通常比A通+1（8g*2也可能是A B通相等才能过自检，有群友遇到这种情况） BIOS调节
第二招.txp调至4或5，约降低1ns的延迟 39.4ns
第三招.PPD调为0约降低1ns左右的延迟 38.7ns
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七、关于一些参数的发现 1.Twrpre与TWR的设置 理论公式 twrpre=twr+tcwl+4 此前有些超频教程里是写设置twrpre，twr auto，实际情况不能过测，而手动设置twr，twrpre auto可以过测。 2.TRTP与TWR的关系 此前超频教程里的公式是 TRTP=1/2 TWR，实际过测的情况各种组合比较多，jedec的标准里面没有写两者的关系，实际的情况twr trtp 11 10，11 12， 12 10，12 6，12 12 ，14 10， 14 8，14 7，14 6，16 6，16 12这些组合都能过测. 3.TFAW与快速测速 在Tm5 1usmus和mt100%等快速测试的时候，拉紧TFAW有助于过测。在AMD平台甚至出现tfaw设置16，1usmus完全不报错的情况。因此建议在快速测试的时候将tfaw auto，而在长期测试（如anta777extreme）的时候拉紧，同时建议amd平台使用Ollie作为快速过测的工具。 4.关于Tras 有些频率时序下tras拉紧了（比如拉到28）拷贝带宽会负优化，至于是不是tcl/trp+trcd+2也不绝对，要自己试。 八、关于其他一些可以调节的参数（未充分验证） 在挑战自己平台8g*2 4800 18 18 18烧机的时候，除了调整ODT之外，发现还有两个参数可以尝试，主要场景为调整电压和ODT都不能消除报错的情况，由于烧机的最好情况只是1usmus通过2圈测试，仅供参考，此处标明未充分验证： 1.VERF 电压，通常的值为内存电压的1/2，调节幅度为0.01-0.02 2.ODT微调：AB通可以分开调节，调节幅度为0-15
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发表于 2020-9-7 14:26
