三星或在今年内推出236层3D NAND闪存， 以保证市场领先地位

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这个月初，SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，已向合作伙伴发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。

据Business Korea报道，三星已经完成了采用第八代V-NAND技术产品的开发，将采用236层3D NAND闪存芯片，预计会在今年内实现批量生产。此外，三星还计划在本月开设一个新的研发中心，将负责开发更先进的NAND闪存产品。



在NAND闪存市场里，三星的市场份额是最高的，到达了35%。不过目前三星的NAND闪存还停留在176层，采用的是第七代V-NAND技术，层数不但低于SK海力士，也落后于美光，这迫使三星加快了新型NAND闪存的开发步伐，以保证竞争优势。

今年5月份，美光宣布推出232层的3D TLC NAND闪存，并准备在2022年末开始生产，计划用在包括固态硬盘在内的各种产品上。该款芯片采用了CuA架构，使用了NAND的字符串堆叠技术，初始容量为1Tb（128GB）。美光表示，CuA架构叠加新技术可以大大减小1Tb 3D TLC NAND闪存的芯片尺寸，这有助于降低成本。

此前三星曾表示，将按计划推进600层以上3D NAND闪存的研发，未来层数可能会超过1000层。同时会根据市场需求决定什么时候开始批量生产，一般12至18个月会进行更新。参照这样的时间表，搭载238层NAND闪存的存储设备大概率能在今年内看到。




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