SK海力士竞逐更多HBM市场份额：扩展HBM3后道工艺产能，已收到英伟达送测HBM3E请求

埃律西昂

来源： etnews Businesskorea

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SK hynix正在扩大其高带宽内存（HBM）生产线。该公司正在考虑将其HBM的生产能力提高一倍，HBM是人工智能（AI）半导体的一个重要存储器。

根据周五的行业报告，SK hynix已经开始准备投资下游设施，以增加HBM3的出货量。该计划是要扩大包装HBM3的利川工厂。

"公司正准备引进额外的设备，主要用于后处理生产线，该生产线在HBM3生产中发挥着重要作用，"一位熟悉此事的行业人士说。到今年年底，后处理设备的规模预计将增加近一倍。

HBM是一种高性能存储器，使用多个D-RAM垂直堆叠，比传统D-RAM大幅提高数据处理速度。由于多个存储器需要像单个半导体一样进行封装，扩大HBM的生产能力需要增加下游设备，或者说封装设施。这就是为什么我们要在利川工厂增加进行HBM封装的设备。

这次扩张是为了满足AI市场增长对HBM的需求。HBM与CPU-GPU一起用于高性能计算（HPC）和大规模数据中心的AI处理。由于其处理大量数据的性能，对HBM内存的需求与AI半导体同时增加。特别是，HBM3是高带宽内存市场的热门产品，SK hynix正计划扩大HBM3的生产。根据市场研究公司Trendforce的数据，SK hynix目前在HBM市场上占据了50%的份额，位居世界第一。

由于HBM是传统D-RAM的堆叠技术，它需要后处理能力。这包括硅通孔（TSV）和MR-MUF技术。TSV涉及在D-RAM芯片上钻成千上万的微孔，用垂直穿透的电极连接顶部和底部芯片。

虽然SK hynix目前由于半导体市场的低迷，正在减少其整体的资本支出，但它正在努力确保不会错过未来的投资机会，如HBM。事实上，在第一季度财报电话会议上，SK hynix表示："与去年相比，我们今年的综合投资减少了50%以上"，并补充说："相反，我们计划投资于DDR5、LPDDR5和HBM3等产品的生产，这些产品将推动今年的需求增长，为下半年和明年的增长做准备"。

SK hynix还将对其第五代HBM产品 "HBM3E "进行投资。据了解，SK hynix最近已经向客户提供了HBM3E的样品。如果该产品被采用，预计会有进一步的投资用于大规模的大规模生产。

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据报道，人工智能半导体市场的领导者NVIDIA已经要求获得SK hynix目前正在开发的下一代高带宽内存（HBM）的样品。随着SK hynix巩固其作为英伟达主要合作伙伴的地位，预计它将引领下一代DRAM的市场。

据业内人士6月14日透露，SK hynix收到了NVIDIA要求提供HBM3E样品的请求，并正在准备出货的样品。HBM3E是目前最高规格DRAM的下一代产品，即HBM3，被认为是第五代半导体产品。

SK hynix 目前正在开发该产品，目标是在明年上半年进行大规模生产。SK hynix的副总裁Park Myung-soo在4月份的第一季度收益公告电话会议上透露，"我们正在准备今年下半年的8Gbps HBM3E产品样品，并准备在明年上半年进行大规模生产"。通常情况下，在产品开发完成后，样品将被运往客户处进行认证。

SK hynix目前在HBM市场上领先于三星电子。根据市场研究公司TrendForce的数据，截至去年，SK hynix在HBM领域占据了50%的全球市场份额，而三星电子保持40%。

去年6月，SK hynix成为世界上第一个大规模生产最高性能的DRAM--HBM3，抢占了市场领先地位。在通过苛刻的客户对HBM3样品进行严格的性能评估后，它成功地提供了NVIDIA的H100。

可以预见，如果他们成功交付这款第五代产品，将进一步巩固其在超高速AI半导体市场的第一地位。在用于人工智能开发的全球图形处理单元（GPU）市场中，英伟达占据了90%以上的市场份额。

除了HBM，SK hynix还被评估为在DDR5市场获得了竞争优势，这是下一代DRAM的标准。今年1月，SK hynix的10纳米级第四代（1a）DDR5服务器DRAM获得了英特尔认证，成为第一个获得该认证的公司。

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