传三星HBM3E芯片存在运行过热问题， 导致无法通过英伟达的验证

叶子烟

星星星怎么干啥都那么热

gladiator

三星这FAB终于连显存也整不明白了么

atlantis414

"不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，传闻主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。"

没看懂, 三星没有通过英伟达测试原因是台积电的审批 ?

cyberms

atlantis414 发表于 2024-5-26 15:44
"不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，传闻主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。"

没看 ...

要整体封装。

atlantis414

cyberms 发表于 2024-5-26 15:55
要整体封装。

原来如此,谢谢

灵乌路空

中 / 美 是屏蔽词了啊

YsHaNg

atlantis414 发表于 2024-5-26 07:44
"不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，传闻主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。"

没看 ...

SoIC+CoWoS

Flanker

gladiator 发表于 2024-5-26 15:22
三星这FAB终于连显存也整不明白了么

也不是刚刚的事了
本来2是它先量产的，结果后面2e/3/3e被海力士追上反超甚至遥遥领先
美光那边有gddr5x/6x，hbm3e还追上了海力士
就它一直摸鱼，gddr6w发布一年半也没人实用

netjunegg

三星存储地位堪忧啊, 据说ddr5这代, 三星是垫底的

melancholy05

难怪星星星近期解散了DRAM工艺设计团队进行重组已经落后海力士起码两年了
海力士从A-DIE开始薄纱，HBM更不用说，甚至NAND闪存从176层开始也比星星星能效更高，消费级产品缓外写入速度最强

KazamiKazuki

melancholy05 发表于 2024-5-27 09:22
难怪星星星近期解散了DRAM工艺设计团队进行重组已经落后海力士起码两年了
海力士从A-DIE开始薄纱，HBM更不 ...

MDie都能薄纱

melancholy05

KazamiKazuki 发表于 2024-5-27 09:42
MDie都能薄纱

M-DIE第一代超频上限还是低了些，不过DRAM能效比方面SK确实领先很久了

fpd92axv

melancholy05 发表于 2024-5-27 09:51
M-DIE第一代超频上限还是低了些，不过DRAM能效比方面SK确实领先很久了

第一代能上7000+够可以了，三丧那边能6000+么？

melancholy05

fpd92axv 发表于 2024-5-27 11:27
第一代能上7000+够可以了，三丧那边能6000+么？

打扰了，我以为第一代普遍也就6800左右的水平不过7000+的话发热很不好看吧？

fpd92axv

melancholy05 发表于 2024-5-27 11:57
打扰了，我以为第一代普遍也就6800左右的水平不过7000+的话发热很不好看吧？ ...

所以日常还是降到7000以下...

sekiroooo

这是不是GDDR7显存颗粒呢

orc

三星的HBM3E方案良品率明显低于海力士的，这波技术领先优势已经完全落后于海力士，三星正在追赶

Flanker

melancholy05 发表于 2024-5-27 09:51
M-DIE第一代超频上限还是低了些，不过DRAM能效比方面SK确实领先很久了

真要说在ddr4后期星星星就已经不行了，研发的c-die d-die都只能做oem和中低端
海力士有cjr，美光8/16Gb也都有好颗粒