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[显卡] 传三星HBM3E芯片存在运行过热问题, 导致无法通过英伟达的验证

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发表于 2024-5-26 14:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
怎么感觉不管是什么设备,只要用三星的工艺就会是大火龙啊

美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E(24GB)样品。其**光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证,并获得了订单。不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试,仍需要进一步验证,传闻主要卡在台积电(TSMC)的审批环节。

据相关媒体报道,三星的HBM3E芯片在英伟达的验证测试过程中似乎遇到一些重大问题,其中芯片运行过热就是一个大问题。据了解,三星从去年开始,就先后提供了HBM3和HBM3E给英伟达进行验证,但是一直没有通过,这意味着这些问题已经存在至少六个月的时间。

有业内人士透露,三星提供的8层堆叠和12层堆叠的HBM3E芯片都有问题,因此英伟达暂时只可能在SK海力士或者美光处下单。其中SK海力士早在2022年6月左右就开始向英伟达提供HBM3,用于H100,然后从2024年3月起又开始供应HBM3E。

暂时还不清楚三星的HBM3和HBM3E芯片到底是生产问题,还是与封装相关的问题,或者是其他问题。与SK海力士和美光相比,三星开发的时间更短一些,显得有些匆忙。此前有消息称,三星的HBM3E产品在制造工艺上有些许差异,而台积电基于的是SK海力士的检测标准,因此受到的影响。

对此三星官方表示,这些属于根据客户需求定制产品的问题,并否定了过热的说法,称测试正在按计划进行。
发表于 2024-5-26 14:19 | 显示全部楼层
星星星怎么干啥都那么热
发表于 2024-5-26 15:22 来自手机 | 显示全部楼层
三星这FAB终于连显存也整不明白了么
发表于 2024-5-26 15:44 | 显示全部楼层
"不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试,仍需要进一步验证,传闻主要卡在台积电(TSMC)的审批环节。"

没看懂, 三星没有通过英伟达测试原因是台积电的审批 ?
发表于 2024-5-26 15:55 | 显示全部楼层
atlantis414 发表于 2024-5-26 15:44
"不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试,仍需要进一步验证,传闻主要卡在台积电(TSMC)的审批环节。"

没看 ...

要整体封装。
发表于 2024-5-26 15:57 | 显示全部楼层

原来如此,谢谢
发表于 2024-5-26 17:38 | 显示全部楼层
中 / 美 是屏蔽词了啊
发表于 2024-5-26 19:45 来自手机 | 显示全部楼层
atlantis414 发表于 2024-5-26 07:44
"不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试,仍需要进一步验证,传闻主要卡在台积电(TSMC)的审批环节。"

没看 ...

SoIC+CoWoS
发表于 2024-5-26 21:01 | 显示全部楼层
gladiator 发表于 2024-5-26 15:22
三星这FAB终于连显存也整不明白了么


也不是刚刚的事了
本来2是它先量产的,结果后面2e/3/3e被海力士追上反超甚至遥遥领先
美光那边有gddr5x/6x,hbm3e还追上了海力士
就它一直摸鱼,gddr6w发布一年半也没人实用
发表于 2024-5-26 21:48 | 显示全部楼层
三星存储地位堪忧啊, 据说ddr5这代, 三星是垫底的
发表于 2024-5-27 09:22 | 显示全部楼层
本帖最后由 melancholy05 于 2024-5-27 09:24 编辑

难怪星星星近期解散了DRAM工艺设计团队进行重组已经落后海力士起码两年了
海力士从A-DIE开始薄纱,HBM更不用说,甚至NAND闪存从176层开始也比星星星能效更高,消费级产品缓外写入速度最强
发表于 2024-5-27 09:42 | 显示全部楼层
melancholy05 发表于 2024-5-27 09:22
难怪星星星近期解散了DRAM工艺设计团队进行重组已经落后海力士起码两年了
海力士从A-DIE开始薄纱,HBM更不 ...

MDie都能薄纱
发表于 2024-5-27 09:51 | 显示全部楼层


M-DIE第一代超频上限还是低了些,不过DRAM能效比方面SK确实领先很久了
发表于 2024-5-27 10:28 | 显示全部楼层
喜闻乐见。。。某天新闻:黄伟达h200霸业一波三折困难重重股价断崖 转身把精力投放到消费市场。。。
虽然不可能有这个平行宇宙 自娱自乐一下。。。
发表于 2024-5-27 11:27 来自手机 | 显示全部楼层
melancholy05 发表于 2024-5-27 09:51
M-DIE第一代超频上限还是低了些,不过DRAM能效比方面SK确实领先很久了

第一代能上7000+够可以了,三丧那边能6000+么?
发表于 2024-5-27 11:57 | 显示全部楼层
fpd92axv 发表于 2024-5-27 11:27
第一代能上7000+够可以了,三丧那边能6000+么?


打扰了,我以为第一代普遍也就6800左右的水平不过7000+的话发热很不好看吧?
发表于 2024-5-27 14:56 来自手机 | 显示全部楼层
melancholy05 发表于 2024-5-27 11:57
打扰了,我以为第一代普遍也就6800左右的水平不过7000+的话发热很不好看吧? ...

所以日常还是降到7000以下...
发表于 2024-5-27 16:53 | 显示全部楼层
这是不是GDDR7显存颗粒呢
发表于 2024-5-27 17:10 | 显示全部楼层
三星的HBM3E方案良品率明显低于海力士的,这波技术领先优势已经完全落后于海力士,三星正在追赶
发表于 2024-5-27 18:58 | 显示全部楼层
melancholy05 发表于 2024-5-27 09:51
M-DIE第一代超频上限还是低了些,不过DRAM能效比方面SK确实领先很久了

真要说在ddr4后期星星星就已经不行了,研发的c-die d-die都只能做oem和中低端
海力士有cjr,美光8/16Gb也都有好颗粒
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