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[PC硬件] 三星正在研究10nm工艺:终上极紫外光刻

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发表于 2013-11-7 12:04 | 显示全部楼层 |阅读模式
原文地址:http://news.mydrivers.com/1/281/281821.htm

硅半导体工艺的极限在哪里?至少短期内,各大厂商都还在发力冲刺。除了即将量产的20nm、16nm、14nm,更遥远的10nm也早早被列上了议事日程。

三星的下一步是14nm FinFET(立体晶体管),去年底就已经取得重大突破,完成了测试样品、设计基础设施的准备工作,还有ARM、Cadence、Mentor、Synopsys等众多合作伙伴的支持。

不过时至今日,三星也没有披露14nm具体会在什么时候量产,有消息称要到2015年初Exynos 6就等它了

再往后,10nm技术也正在按计划研发之中,并会继续使用FinFET,还会初步尝试使用极紫外光刻(EUV)和业内步调一致

此外,Intel、台积电、GlobalFoundries也都在积极推进10nm技术的研发,届时还有可能用上450毫米大晶圆。


新闻标签:三星


评分

1

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发表于 2013-11-7 12:22 | 显示全部楼层
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发表于 2013-11-7 12:26 | 显示全部楼层
马上就要极限了吗
发表于 2013-11-7 12:30 | 显示全部楼层
觸怒了神→我 发表于 2013-11-7 12:26
马上就要极限了吗

硅工艺极限了
发表于 2013-11-7 12:32 来自手机 | 显示全部楼层
应该是明年年底14nm
发表于 2013-11-7 12:33 | 显示全部楼层
这个貌似我们已经搞定了,就等产业化了
发表于 2013-11-7 12:34 | 显示全部楼层
这工艺都快到10了啊,好厉害啊~!
发表于 2013-11-7 12:40 | 显示全部楼层
擦,纸面上都是靠吹么
发表于 2013-11-7 13:12 | 显示全部楼层
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发表于 2013-11-7 13:19 来自手机 | 显示全部楼层
天朝紫外光刻确实是领先一步,之前新闻出来过
发表于 2013-11-7 13:50 | 显示全部楼层
得给点力啊,别又是产能不足又是良品率低的
发表于 2013-11-7 13:52 | 显示全部楼层
我怎么记得IBM早就6nm dna了
发表于 2013-11-7 14:14 | 显示全部楼层
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发表于 2013-11-7 14:22 | 显示全部楼层
sun1a2b3c 发表于 2013-11-7 13:12
你们是谁……?

深紫外全固态激光器通过验收 中国成唯一能实用化制造国家
http://www.guancha.cn/Science/2013_09_07_170838.shtml

全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天重申,
极紫外(EUV)光刻技术将在2015年如期投入商用,各大半导体厂商都在摩拳擦掌。
http://news.mydrivers.com/1/280/280905.htm


发表于 2013-11-7 14:41 | 显示全部楼层
sun1a2b3c 发表于 2013-11-7 13:12
你们是谁……?

同问??产业化。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。[鬼脸]
发表于 2013-11-7 14:51 | 显示全部楼层
lyys 发表于 2013-11-7 12:33
这个貌似我们已经搞定了,就等产业化了

藏得深啊
发表于 2013-11-7 15:26 | 显示全部楼层
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发表于 2013-11-7 21:08 | 显示全部楼层
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