5. 关于挑选过的套条
3. 缩小时序
设定
· 优先确保你的内存插在主板建议的DIMM插槽中（通常为2和4）。
· 对RAM超频之前，请确保CPU完全稳定，因为不稳定的CPU会导致内存错误。在烤机或者cpu运行压力较大时，CPU可能会变得不稳定。
· 确保将UEFI升级到最新。
·
Thaiphoon展示您的内存使用的IC（集成电路或RAM芯片）。让你自己对自己内存超到什么频率和时序有一个大概的估量。
· 要在Windows中查看计时，请执行以下操作：
· AMD：
· 基准测试：
·
AIDA64-30天免费试用。可以使用缓存和内存基准测试（可在工具下找到）来查看内存的性能。右键单击“开始基准测试”按钮，然后仅运行内存测试以跳过缓存测试。
·
MaxxMEM2 -AIDA64的免费替代品，但是带宽测试似乎要低得多，因此不能直接与AIDA64相提并论。
期望/限制主板
· 具有2个DIMM插槽的主板将能够达到最高频率。
· 对于具有4个DIMM插槽的主板，安装的内存数量会影响你的最大内存频率。
· 在使用菊花链式
内存走线布局的主板上（译者注daisy chain 常见的主板厂家为微星），最好使用2条。使用4个内存可能会严重影响你的最大内存频率。
· 另一方面，使用T型拓扑的主板使用4根内存最好超频。与在菊花链主板上使用4条记忆棒相比，使用2条内存不会影响您的最大内存频率。（译者注：求证过林大。根据常见的情况来看，t型拓扑的主板，使用两根超频的频率还是没有四根的高，应该说还是有影响，笔者原文中的意思是四根内存超频对imc要求过高，四根超的很烂，所以和两根没有太大区别，在Z390系主板上，华硕的四根内存超频有所改善，但是主要还是看cpu的imc体质。这里注意一下不要误解笔者的意思）
· 大多数供应商不会公布他们使用的内存走线布局，但是可以根据QVL进行有根据的猜测。例如，
Z390 Aorus Master 可能使用T型
拓扑布局，因为它的最高验证频率是4个DIMM。如果使用2个DIMM完成了最高的验证频率，则
可能使用菊花链布局。
· 根据buildzoid的说法，菊花链VS T拓扑仅在4000MHz以上才会体现出区别和重要性。如果您使用的是Ryzen 3000，则无所谓，因为3800MHz是运行MCLK：FCLK 1：1时的典型最大内存频率。
· 低端主板也可能超频不会太高，这可能是由于较低的PCB质量和层数所致。（译者：godlike和m11e是八层pcb，低中端可能只有四层或者双层）
集成电路（IC）台风报告
· 据推测，SpecTek是容量较低的微米IC。
· 注解：许多人已经开始称这为Micron电子管芯，甚至只是电子管芯。前者很好，但后者会引起混乱，因为字母模通常用于三星IC，即4Gbit三星E模。当你说E-die时，就暗含了三星，但是当称其为Micron Rev. E-die时，给制造商加上前缀可能是一个好主意。
关于颗粒和内存密度的注意事项
· 通常，单面内存的频率要比双面内存的频率高，但是在相同的频率和时序下，双面内存的性能会因排插交错而有所改善。
· 确定IC可以走多远时，内存密度至关重要。例如，尽管是AFR，但4Gb AFR和8Gb AFR不会超频相同。
电压缩放
· 电压缩放仅表示IC如何响应电压。
· 在许多IC上，tCL随电压变化，这意味着给它更多的电压可使你降低tCL。相反，tRCD和tRP通常不会随许多IC上的电压成比例变化，这意味着无论你向其中注入多少电压，它都不会发生变化。
据我所知，tCL，tRCD，tRP以及可能的tRFC可以（或不能）看到电压缩放。
· 同样，如果时序随电压缩放，则意味着你可以增加电压使内存在更高的频率下运行相同的时序。
· 你会看到，tCL与8GbCJR上的电压成线性比例关系。
· 已知一些较旧的微米IC（在修订版E之前）随电压呈负比例变化。也就是说，仅通过增加电压（通常高于1.35v），它们就在相同的频率和定时变得不稳定。
· 以下是常见IC的表格，以及时序是否随电压而变化：
[td]
IC
| | | |
| 8Gb AFR | | | |
| 8Gb CJR | | | |
| 8Gb版本(edie) | | | |
| 8Gb B芯片(bdie) | | | |
· 通常，随着频率增加，与电压不成比例的时序通常需要增加。
预期最大频率
· 以下是一些常见IC的预期最大频率：
[td]
已知
| |
| 8Gb AFR | |
| 8Gb CJR | |
| 8Gb版本E(edie) | |
| 8Gb B芯片(bdie) | |
· 1 CJR在我的测试中有点不一致。我已经测试了3支RipJaws V 3600 CL19 8GB记忆棒。其中一个卡在3600MHz，另一个卡在3800MHz，但最后一个可以在4000MHz，在1.45v的CL16下卡住。
· 不要指望较低体质的IC会比较高体质的IC超频更强。对于
B-die来说尤其如此。
挑选过的内存套装
· 套条基本上是根据内存的体质来区分它们。
制造商会根据其频率将IC分成不同的频率。因此，术语装仓。（俗称的套条）
· 例如，bdie颗粒中， 套装2400 15-15-15颗粒明显比装箱3200 14-14-14甚至3000 14-14-14的差。不要指望它具有与良好的B-die相同的电压缩放特性。
· 为了弄清楚哪个频率和时序是同一IC上相同电压下更好（更紧）的接点，请找出哪个时序与电压不成比例。
只需将频率除以该时序，较高的值就是更紧密的分档。
· 例如，Crucial Ballistix 3000 15-16-16和320016-18-18都使用Micron Rev. E IC。简单地将频率除以tCL可得到相同的值（200），这是否意味着它们是同一个体质？
的tRCD不随电压，这意味着它需要你增加频率来增加规模。
3000/16 = 187.5，但3200/18 = 177.78。
如你所见，3000 15-16-16比320016-18-18的时序更紧。这意味着额定为3000 15-16-16的套件可能能够执行3200 16-18-18，但是额定为3200 16-18-18的套件可能无法执行3000 15-16-16。
推荐的最大日常电压
大于“绝对最大额定值”中列出的压力可能会导致设备永久损坏。这仅是额定压力，并不暗示在这些或任何其他条件（超出本规范的操作部分所指示的条件）下器件的功能运行。长时间超过在绝对最大额定值条件下可能会影响可靠性。
· 话虽如此，我只建议在B-die上运行1.50v，因为它具有很高的耐压性。至少对于普通IC（4 / 8Gb AFR，8GbCJR，8GbRev.E，4 / 8Gb MFR），建议的最高电压为1.45v。据报道，一些鲜为人知的IC，例如
8Gb C-die，虽然采用YMMV，但其缩放比例却为负值，甚至在高于1.20v时GG。
集成内存控制器（IMC）英特尔-LGA1151
· 英特尔的IMC非常强大，因此它一般不会成为超频时的瓶颈。
你对14 +++++有什么期望？
· 如果超频RAM，您需要更改2种电压：系统代理（VCCSA）和IO（VCCIO）。
请不要把这两个参数设为主板AUTO，因为它们会向您的IMC泵送危险的电压电平，从而有可能使电压降级甚至消失。大多数时候，您可以使VCCSA和VCCIO保持相同，但
有时过高会损害稳定性（来源：Silent_Scone）。我不建议每次都超过1.25v。
以下是我建议用于2个单列DIMM的VCCSA和VCCIO：
[td]
频率（MHz）
| |
| 3000-3600 | |
| 3600-4000 | |
| 4000+ | |
· 如果具有更多的DIMM和/或双列DIMM（四根内存或者双面内存），则可能需要比建议的更高的VCCSA和VCCIO。
· tRCD和tRP是链接的，这意味着如果将tRCD设置为16但tRP 17，则两者都将在较高的时间运行（17）。这种局限性是许多IC在Intel上表现不佳的原因，以及B-die对于Intel来说是一个很好的选择的原因。
· 在华擎和EVGA的bios中，它们被合并为tRCDtRP。在ASUS UEFI上，tRP是隐藏的。在MSI和技嘉UEFI上，可以看到tRCD和tRP，但是将它们设置为不同的值只是将它们两者都设置为较高的值。
· 预期的内存延迟范围：40ns-50ns。
AMD-AM4
· 进行超频时，Ryzen 1000和2000的IMC可能比较薄弱，无法达到Intel所能达到的最高频率。Ryzen 3000的IMC更好，而且与Intel差不多。
· SOC电压是IMC的电压，与Intel一样，不建议将其保持自动状态。通常，建议为1.0-1.1v，高于1.1v根本没有多大帮助。
在Ryzen 2000（可能还有1000和3000）上，高于1.15v会对超频产生负面影响。
在不同的CPU标本上，内存控制器的行为方式存在明显差异。在1.050VSoC电压下，大多数CPU的工作频率为3466MHz或更高，但是区别在于不同样品对电压的反应方式。一些标本似乎随着SoC电压的增加而缩放，而其他标本则根本拒绝缩放，甚至在某些情况下甚至反向缩放。当使用高于1.150V的SoC时，所有测试样本均显示出负比例缩放（即，更多的错误或训练失败）。在所有情况下，最大存储频率均在= <1.100V SoC电压下实现。
来自@YMMV
· 在Ryzen3000上，还有CLDO_VDDG（不要与CLDO_VDDP混淆），它是无穷大结构的电压。我读过，SOC电压应比CLDO_VDDG高40mV，但除此之外，关于它的信息不多。
· 如果您的主板和IC具有以下功能，则以下是2个单列DIMM的预期频率范围：
[td]
锐龙代数
| |
| 1000 | |
| 2000 | |
| 3000 | 3600-3800（1：1 MCLK：FCLK）
3800+（2：1 MCLK：FCLK） |
· 如果使用更多的DIMM和/或双面DIMM，则预期频率可能会更低。
· 通常在1个DIMM每通道（DPC）/ 2个DIMM插槽主板上并具有非常好的IMC来实现1 3600+。
· Ryzen 2000 IMC应该能够达到3400MHz-3533MHz。
在测试的样本上，最大可达到的内存频率的分布如下：
3400MHz –样本的12.5％
3466MHz – 样本的25.0％
3533MHz – 样本的62.5％
· 2个CCDRyzen 3000 CPU（3900X和3950X）似乎更合适用4个单面内存而不是2个双面内存。
对于2个CCD SKU，似乎要采用2个DPCSR配置。3600和3700X在1个DPC DR配置上都执行了1800MHz的UCLK，但是很可能是由于3900X中两个CCD的差异，它在这些DIMM上几乎没有做到1733MHz。同时，通过2个DPCSR配置，达到1866MHz FCLK / UCLK没有问题。
来自The Stilt· tRCD分为tRCDRD（读）和tRCDWR（写）。通常，tRCDWR可以低于tRCDRD，但我还没有注意到降低tRCDWR带来的任何性能改进。最好保持它们不变。
· 在2666MHz以上自动启用减速模式（GDM），这将强制tCL，tCWL和CR 1T。如果要运行奇数tCL，请禁用GDM。如果您不稳定，请尝试运行CR 2T，但这可能会降低tCL的性能提升。
· 例如，如果尝试在启用GDM的情况下运行3000 CL15，则CL会四舍五入到16。
· 在性能方面：GDM禁用CR1T>GDM启用CR1T> GDM禁用CR 2T。
（译者注：向林大和论坛的大佬求证后，此处红字有误。引用17楼原话：实际GDM开启≈2.5T, 实测效能GDM disabled CR 1T> GDM disabled CR 2T> GDM enabled CR 1T。GDM disabled CR 2T相比GDMenabled CR 1T需要的电压更高, 需要的时序更宽松.这个我实测过, 你也可以多测几次观察一下. 而且GDM开启之后有一大弊端, 只能使用偶数tCL,无法开启奇数tCL, 比如你设15或者17,实际跑的却是16或者18.。所以无论如何GDM能关则关,哪怕用GDM Disable 2T也比开GDM强,实在稳不了再开。）
· 在单个CCD Ryzen 3000 CPU（3900X以下的CPU）上，写入带宽减半。
在内存带宽上，我们看到了3700X的写入速度有些奇怪，这是因为CDD到IOD的连接，在3700X上的写入速度为16B/周期，但在3900X上是其两倍。AMD表示，这可以让他们节省功耗，这是AMD所追求的较低TDP的一部分。AMD表示应用程序很少做纯写操作，但在下一页我们的基准测试之一中确实降低了3700X的性能。
〜TweakTown· 预期的内存延迟范围：
[td]
锐龙系数
| |
| 1000 | |
| 2000 | |
| 3000 | 65-75（1：1 MCLK：FCLK）
75+（2：1 MCLK：FCLK） |
· 在Ryzen3000上，只要您可以将UCLK锁定到MCLK，足够高的FCLK可以克服MCLK和FCLK不同步带来的损失。
超频
· 免责声明：体质等不确定因素会影响您的超频潜力，因此可能与我的建议有些偏差。
寻找最大频率
1. 在Intel上，从1.15v VCCSA和VCCIO开始。在AMD上，从1.10v SOC开始。
2. 将DRAM电压设置为1.40v。如果您使用的是Micron / SpecTek IC，则不包括Rev. E，请设置1.35v。
3. 将主要时间设置为16-20-20-40（tCL-tRCD-tRP-tRAS）。
4. 增大DRAM频率，直到它不再引导Windows。请记住上面达到的最大频率。
1. 如果您使用的是Intel，了解自己不稳定的一种快速方法是检查RTL和IOL。每组RTL和IOL都对应一个通道。在每个组中，有2个值对应于每个DIMM。
Asrock时序配置器
当在通道A插槽2和通道B插槽2中安装了内存时，需要查看每组RTL和IOL中的D1。
RTL相隔不超过2，IOL相隔不超过1。
在我的情况下，RTL分别为53和55，相距2个，而IOL均为7。请注意，使RTL和IOL处于这些范围内并不意味着您很稳定。
2. 如果您使用的是Ryzen 3000，请确保将Infinity Fabric频率（FCLK）设置为有效DRAM频率的一半。
5. 运行你选择的内存烧机程序。
0. Windows将使用〜2000MB，因此请确保在输入要测试的RAM数量时考虑到这一点。我有16GB的RAM，通常测试14000MB。
1. 最低建议烧机测试时长
1. MemTestHelper（HCIMemTest）：每个线程200％。
2. KarhuRAMTest：5000％。
1. 在高级选项卡中，确保将CPU缓存设置为启用。这将使测试速度提高约20％。
6. 如果崩溃/死机/蓝屏死机或出现错误，请将DRAM频率降低一个档口，然后再次进行测试。
7. 将超频配置文件保存在UEFI中。
8. 烧机测试通过后，你可以尝试提高频率或者选择缩小时序。
9. 请记住上面的频率极限。如果您的IC和/或IMC受到限制，最好只是缩短时序。
尝试更高的频率
· 如果您不受主板，IC和IMC的限制，则此部分适用。
本部分不适用于那些无法将频率稳定在预期范围内的人。
英特尔：
1. 将VCCSA和VCCIO增加到1.25v。
2. 如果未将命令速率（CR）设置为2T，则将其设置为2T。
3. 将tCCDL设置为8。华硕UEFI不公开此时序。
锐龙3000：
4. 不同步MCLK和FCLK会导致巨大的延迟损失，因此最好收紧时序以使MCLK：FCLK保持1：1。
5. 否则，请将FCLK设置为稳定的值（如果不确定，请设置为1600MHz）。
2. 将主要时序放宽到18-22-22-42。
3. 将DRAM电压增加到1.45v。
5. 继续缩紧时序。
紧缩时序
· 确保每次更改后都运行内存测试和基准测试，以确保性能得到提高。
· 我建议将基准测试3到5次并取平均值，因为内存基准测试可能会有一些差异。
· 最大最大带宽（MB / s）= ddr_freq * num_channels * 64/8。
[td]
频率（MHz）
| |
| 3000 | |
| 3200 | |
| 3400 | |
| 3466 | |
| 3600 | |
| 3733 | |
| 3800 | |
| 4000 | |
· 您的读写带宽应为理论最大带宽的90％-95％。
· 在单个CCD Ryzen 3000 CPU上，写带宽应为理论最大带宽一半的90％-95％。可能达到理论最大写带宽的一半。看
这里。
AMD：
1. 尝试禁用GDM并将CR设置为1T。实在不稳定再启用GDM。
2.英特尔：
2. 尝试将CR设置为1T。如果不行，请将CR保留在2T上。
2. 我建议先收紧一些次要时序，因为它们可以加快内存测试的速度。
我的建议：
[td]
0. 最小tFAW可以是tRRDS * 4。
1. 您不必在一个预设中运行所有计时。您可能只能在严格的预设下运行tRRDS tRRDL tFAW，但可能可以在极端的预设下运行tWR。
3. 接下来是主要时序（tCL，tRCD，tRP）。
0. 从tCL开始，将其降低1，直到不稳定为止。
1. 对tRCD和tRP进行相同操作。
2. 在上述时序尽可能紧凑之后，将tRAS =tCL+ tRCD（RD）+2设置为tRC = tRP + tRAS。
1. 将tRAS设置为低于此值可能会导致
性能下降。
2. tRC仅在AMD和某些Intel UEFI上可用。
4. 接下来是tRFC。8Gb IC的默认值为350ns（注意单位）。
0. 转换为ns：2000 *定时/ddr_freq。
例如，tRFC 250在3200MHz时为2000 * 250/3200 = 156.25ns。
1. 要从ns转换：ns * ddr_freq /2000
。例如，在3600MHz下的180ns是180 * 3600/2000 = 324。
2. 以下是常见IC的典型ns中的tRFC：
[td]
IC
| |
| 8Gb AFR | |
| 8Gb CJR | |
| 8Gb版本E | |
| 8Gb B芯片 | |
5. 这是我其余参数的建议：
[td]
0. 在Intel上，应将tWTRS / L保留为自动，并分别由tWRRD_dg / sg控制。将tWRRD_dg减1将使tWTRS减1。与tWRRD_sg相同。一旦它们降到最低，请手动设置tWTRS / L。
[td]
1. 如果您使用的是Intel，请一次将第三组调整为一组。
我的建议：
[td]
参数
| | | |
| tRDRD_sg / dg / dr / dd | | | |
| tWRWR_sg / dg / dr / dd | | | |
0. 对于tWRRD_sg / dg，请参阅步骤5。
1. 对于tRDWR_sg / dg / dr/dd，将它们全部减1，直到不稳定为止。通常，您可以全部相同地运行它们，例如9/9/9/9。
2. 请注意，dr仅影响双面内存，因此，如果您具有单面内存，则可以忽略此参数。
这些是我在B-die上的建议，以供参考。
3. tREFI也是有助于提高性能的时机。与所有其他时序不同，tREFI越高越好。
通常，将tREFI增大太多并不是一个好主意，因为环境温度的变化（例如冬天到夏天）足以引起不稳定。
7. 您还可以增加DRAM电压以进一步降低时序。请记住
IC的
电压缩放特性和建议的日常最高安全电压。
杂项提示
· 通常，DRAM频率增加200MHz可以消除将tCL，tRCD和tRP减1的等待时间损失，但是具有更高带宽的好处。
例如，3000 15-17-17具有与320016-18-18相同的延迟，但是3200 16-18-18具有更高的带宽。
· 二级和三级时序（tRFC除外）在整个频率范围内并没有太大变化。如果您在3200MHz上具有稳定的二级和三级时序，则只要IC，IMC和主板足够强，它们就可以在3600MHz甚至4000MHz下运行。
英特尔
· 将tCCDL减小到8可能有助于提高稳定性，尤其是在3600MHz以上时。
· 较高的缓存（也称为非核心，环形）频率可以增加带宽并减少延迟。
· 增加IOL偏移量以减少RTL和IOL。确保之后再运行内存测试。
· 如果您拥有华硕Maximus主板并且无法启动，则可以尝试调整偏斜控制值。
AMD公司
· 如果无法启动，请尝试使用ProcODT。在Ryzen 1000和2000上，您应尝试在40Ω和68.6Ω之间的值。
在Ryzen 3000上，
1usmus表示28Ω-40Ω。
这似乎与
The Stilt的设置一致。
除ProcODT为40.0Ohm（这是华硕Optimem III的自动规则）外，AGESA处的Phy默认为默认值。
· （错误）较低的SOC电压可能有助于提高稳定性。（译者备注：这里论坛里有人求证过林大，可能是作者的认知错误，正常来说较高的电压有助于提高稳定性。目前只出现过华硕主板从自动电压降低电压提高稳定性，可能是华硕自动电压给的过高）
· 在Ryzen3000上，较高的CLDO_VDDG有助于提高3600MHz以上的稳定性。
增大cLDO_VDDP>3600MHzMEMCLK似乎是有用的，因为增大cLDO_VDDP似乎可以改善宽松度，从而有助于解决潜在的问题。
来自@TheStilt以下为作者附录的一些有用的链接
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翻译已于2019/10/15完善更新============= =====================================
310112100042806
发表于 2019-10-7 03:17
