NEO Semiconductor推出改变内存行业游戏规则的3D X-DRAM技术，单颗粒或达128Gb大容量

埃律西昂

来源： PR Newswire

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世界上第一个类似于3D NAND的DRAM，旨在解决DRAM的容量瓶颈，并取代整个2D DRAM市场；使制造和扩展具有更高密度和容量的内存更加容易。


加州圣何塞2023年5月3日电 /美通社/ -- 领先的3D NAND闪存和DRAM存储器创新技术开发商NEO Semiconductor今天宣布推出其突破性技术 -- 3D X-DRAM™。这项开发成果是世界上第一个类似于3D NAND的DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈问题，并取代整个2D DRAM市场。相关专利申请已于2023年4月6日在美国专利申请公告中公布。

"NEO半导体公司的创始人兼首席执行官、拥有120多项美国专利的杰出技术发明家Andy Hsu表示："3D X-DRAM™将成为半导体行业未来的绝对增长动力。"今天我可以自信地说，尼奥正在成为3D DRAM市场上的一个明显的领导者。与目前市场上的其他解决方案相比，我们的发明在制造和扩展方面非常简单，而且成本较低。业界可望通过我们的3D X-DRAM™实现每十年8倍的密度和容量提升。"

NEO半导体公司的3D X-DRAM™是一种基于无电容浮动体单元技术（capacitor-less floating body cell technology）的首创类3D NAND 的 DRAM单元阵列结构。它可以使用类似今天 3D NAND 的工艺制造，只需要一个掩模来定义位线孔并在孔内形成单元结构。这种单元结构简化了工艺步骤，提供了一种高速、高密度、低成本和高产量的解决方案。根据尼奥的估计，3D X-DRAM™技术可以用230层达到128Gb的密度，是目前DRAM密度的8倍。

全行业正在努力将3D技术引入DRAM。采用3D X-DRAM™仅涉及利用当前成熟的3D NAND工艺，与学术论文提出的和存储器行业研究的许多将DRAM转向3D的替代方案不同。如果没有3D X-DRAM™，该行业将面临潜在的数十年的等待，在不可避免的制造中断中航行，并减轻不可接受的产量和成本挑战。3D X-DRAM™是必要的解决方案，以解决由下一波人工智能（AI）应用（如Chat**）驱动的对高性能和高容量内存半导体的需求增长。

"Network Storage Advisors总裁Jay Kramer表示："从2D到3D架构的演变为NAND闪存带来了令人信服和极有价值的好处，因此为DRAM实现类似的演变是全行业非常希望的。"NEO Semiconductor的创新3D X-DRAM™使存储器行业能够利用当前的技术、节点和工艺，以类似NAND的3D架构来增强DRAM产品。