三星计划投资1万亿韩元（约合55.4亿人民币）扩充HBM产能，目标到明年年底产能翻倍

埃律西昂

来源： etnews
原韩文标题：《‘삼성의 반격’ 1조 투자 HBM 증설》

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三星电子正在投资1万亿韩元以扩大其高带宽内存（HBM）的生产能力，这是下一代内存半导体。这是为了应对AMD、Nvidia和其他公司激增的需求，并与SK hynix竞争，后者已经抢先进入市场。



据业界6日报道，三星电子已决定在明年年底前将其HBM产能提高一倍，并已订购主要设备。据了解，晶圆支持系统（WSS）的供应商包括东京电子（TEL）和Suss Microtech，该系统支持薄晶圆的切割和封装，不会造成损害。

三星计划通过在其天安工厂安装这些设备来增加HBM的出货量。天安工厂负责半导体的后处理，包括包装。由于HBM是一种通过垂直堆叠多个D-RAM来提高数据处理速度的产品，因此有必要增加后处理设备以扩大出货量。据报道，此次扩建的总投资为1万亿韩元。

据报道，三星电子已收到AMD和Nvidia的订单，以增加其HBM的供应。随着以Chat**为代表的人工智能（AI）服务的普及，对HBM与高性能中央处理器（CPU）和图形处理单元（GPU）的需求也在增长。

除了目前供应的HBM2和HBM2E，三星还计划大规模生产下一代产品，如8堆栈式HBM3，预计将在今年下半年大规模生产，12堆栈式HBM3E，最近已经完成开发。



三星的投资值得注意，因为尽管全球半导体行业不景气，但HBM市场仍在快速增长，而且这预示着来自SK海力士的竞争。

与竞争对手相比，三星因对HBM反应迟缓而受到内部和外部的批评。在一些市场调查统计中，它的份额已经输给了SK hynix。本月，三星电子更换了其DRAM开发实验室的负责人，该实验室负责监督内存半导体技术的开发。

"三星的HBM份额仍然超过50%，"负责半导体业务的李京贤在最近与员工的谈话中说，HBM3和HBM3P将为DS部门明年的利润增长做出贡献。

预计明年三星和SK hynix之间的竞争将升温，因为SK hynix也在计划扩大其HBM产能。SK hynix还计划通过投资约1万亿韩元来扩大其在利川工厂的HBM产能。1万亿韩元是最低投资额，业内有观察认为三星和海力士明年都将扩大投资规模。


"随着谷歌、苹果和微软（MS）等大型科技公司宣布扩大AI服务，对HBM这种低功耗、高规格的内存半导体的需求必将继续增长，"一位半导体业内人士说。"为了满足未来的需求，三星电子和SK海力士都需要在今天的基础上增加10倍以上的产能。"

C_Y___________

内存闪存被干崩了，只能产业升级换条赛道乐。