Intel和三星在研究“把HBM放到XPU的上or下面”的技术

埃律西昂

之前东京工业大学介绍了BBCube 3D技术，大致思路就是“将TSV堆叠内存与XPU垂直集成”。

今日，据韩媒《首尔经济新闻》（即sedaily）报道，三星正与英特尔合作研发同样思路的内存&封装产品，名为Cache DRAM。据称能耗比相比HBM提升60%，信息传输延迟降低50%。

原先Intel和Micron在蜜月期牵头搞了个HMC，最终败于HBM。不知道这次两家志在先进封装领域挑战TSMC的企业联手会有何结果。