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[PC硬件] 跟随长存、铠侠-西数脚步,消息称三星、SK海力士未来也计划将混合键合技术用于NAND

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发表于 2023-12-3 12:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 埃律西昂 于 2023-12-3 12:43 编辑

来源: The Elec
原文标题: 삼성·SK하이닉스도 낸드플래시에 하이브리드 본딩 적용 검토



继中国存储芯片制造商YMTC之后,包括Kioxia、三星电子和SK海力士在内的其他主要存储芯片制造商预计也将在NAND闪存中采用混合键合技术。Kioxia 正在其 218 级产品中立即采用混合键合技术,这些产品预计将于明年发布。该公司计划通过分离外设和存储单元,然后将两个晶圆堆叠在一起来制造 NAND,从而提高生产效率。据报道,三星电子和 SK 海力士也在研究混合键合技术。三星最近发表了一篇相关论文。它被解读为一种应对 NAND 日益脆弱趋势的策略。

"许多公司已经决定在 NAND 上应用混合键合技术,"TechInsights 高级副总裁 Choi Jeong-dong 最近对 Dilek 说,"Kioxia 将率先在明年发布的第 218 代产品上应用'Xtacking'方法,"他说。"Kioxia称这种方法为'CMOS直接键合到阵列'(CBA),而不是Xtacking。"

混合键合是封装技术的下一个大趋势。它将晶圆或芯片堆叠在一起,形成一个半导体。它具有改善输入/输出(I/O)和导线长度的优势。根据堆叠方法的不同,可分为晶圆到晶圆(W2W)、晶圆到芯片(W2D)和芯片到芯片(D2D)。其中,以晶圆对晶圆的 W2W 堆叠方式产量最高。YMTC 也在通过 W2W 生产 nand。在韩国,三星电子等公司正在将 W2W 应用于 CMOS 图像传感器 (CIS)。



目前,除 YMTC 外,其他 NAND 公司都是通过在外围设备上堆叠存储单元来制造 NAND 的。这意味着它将分为逻辑晶圆(外设)和单元阵列晶圆。"三星电子正计划在 V11 和 V12 前后的量产中应用混合键合技术,"他说,"海力士并不清楚具体的应用时间,但它已经在路线图上了。"三星最近在电气与电子工程师学会(IEEE)会议上提交了一篇关于 NAND 混合键合应用的论文。

不过,量产需要获得专利。行业分析师估计,台积电持有 50% 以上的相关专利,而 Xperi 持有约 30%。YMTC 正在利用 Xperi 的专利量产混合键合的 nand。Choi说:"据推测,他们将与Xperi签署许可协议,""如果不可能,他们将试图通过与台积电签署协议来避免这种情况。"

YMTC 正在考虑堆叠三个晶圆,以规避美国的公共制裁。一个逻辑晶圆和两个电池阵列晶圆将被堆叠在一起。YMTC 称之为 "堆叠 4"。目标是用这种方法制造出 300 多个纳米节点。  今年上半年,YMTC 出货了 232 层 nand 产品。Choi说:"(在堆叠三个晶圆时),必然会出现良率问题。""你必须把存储单元堆叠在一起,如果排列不对,产品就无法使用。""他补充说:"你需要精细控制在 12 到 15 纳米之间,这在后处理中非常困难。

TechInsights 是全球最大的半导体逆向工程公司。它为半导体公司提供专利侵权分析等服务。Choi 是 TechInsights 的高级副总裁,负责存储器业务。
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