三星电子的“3.3D”封装技术

埃律西昂

韩媒报道中提到的3.3D封装技术。

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我去找了找三星和台积电的官网介绍，感觉有点意思：

GPU+LLC整体和HBM之间做的应该是I-CubeE（对应CoWoS-L），用铜RDL替代绝大多数硅中介层降低成本，核心连接部分还是用Si Bridge Die（对应隔壁LSI chip）。

I-CubeE结构

然后这个铜RDL或者PCB载板可以做到面板级，所以算是FOPLP了？

而GPU内部做的应该是X-Cube（对应SoIC）的一种变体，这次是Logic Die在顶部，SRAM缓存在底部，此前（比如AMD X3D）都是反过来的。

还是不太清楚，可能存在不少误读。

YsHaNg

这次是Logic Die在顶部，SRAM缓存在底部

类似于info和cowos的区别吧

af_x_if

这不就是EMIB么？
不用硅大底，只在芯片接触位置用硅小片。

A2305

"千层雪"