买了个小主机想买个D5的5200内存买哪种好？

715208

各位大佬 D5现在5200内存买哪个性价比 比较高 笔记本的32g单条，性能好价格便宜的，找了半天都没找到合适的

gladiator

都5200了还有啥性能可言，主要是装上能点亮，具体兼容问小主机的客服去或者看看其他买了的用的啥，一般大厂的内存兼容问题不大

woaiqiu947

小主机的5200  笔记本的32g单条 ？？？
你干嘛要买这种？

lzhdim

我去年某东买的英睿达的，5800的，24Gx2 ，，，也不那么贵。。。

现在618的尾声了，价格貌似也涨了，自己考虑拍吧。

zerozerone

用JEDEC标准频率时序的内存，正经品牌的产品都可以，
理论上采用原机内存颗粒品牌相同的，兼容性或可更优。跨品牌使用会有小概率的兼容性稳定性问题。
如采用高价非标准时序内存，需要实机验证，售后有保障也可采用。
非标内存在品牌机器上兼容性适配性问题概率稍大点，主要看整机产品线的固件优化支持水平了。

个人经验：品牌整机老老实实用标准内存，使用非标内存在整机平台的综合收益没价差那么大。
单独采用更高规格的CRU配件怼到整机上，有点削足适履的感觉，整机的其他环境并未有对应的调优适配，
反而或可能影响平台整体兼容性稳定性可靠性。

zerozerone

项目        当前值
主板       
主板 ID        <DMI>
主板名称        Lenovo ThinkCentre M75q Gen 5
       
前端总线特性       
总线类型        AMD K19.7
外部频率        100 MHz
有效频率        100 MHz
北桥时钟频率        2600 MHz
       
内存总线特性       
总线类型        Quad DDR5 SDRAM
总线位宽        256 位
DRAM : FSB        26:1
外部频率        2600 MHz (DDR)
有效频率        5200 MHz
带宽        166400 MB/秒
       

项目        当前值
内存模块       
模块名称        SK hynix HMCG88AGBSA095N
序列号        76817FE0h (3766452598)
制造日期        第23周 / 2023
模块容量        32 GB (32 banks)
模块类型        SO-DIMM
存取类型        DDR5 SDRAM
存取速度        DDR5-5600 (2800 MHz)
模块位宽        64 bit
模块电压 (VDD)        1.1 V
模块电压 (VDDQ)        1.1 V
模块电压 (VPP)        1.8 V
错误检测方式        无
DRAM 制造商        SK hynix
SDRAM Die Count        1
Supported CAS Latencies        50, 46, 42, 40, 36, 32, 30, 28, 26, 22
       
内存计时       
@ 2800 MHz        46-45-45-90  (CL-RCD-RP-RAS) / 135-824-447-364-84  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 2633 MHz        42-42-42-84  (CL-RCD-RP-RAS) / 126-773-419-341-79  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 2500 MHz        40-40-40-80  (CL-RCD-RP-RAS) / 120-736-399-325-75  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 2267 MHz        36-36-36-72  (CL-RCD-RP-RAS) / 108-662-359-292-68  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 2000 MHz        32-32-32-64  (CL-RCD-RP-RAS) / 96-589-320-260-60  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 1867 MHz        30-30-30-60  (CL-RCD-RP-RAS) / 90-552-300-244-57  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 1767 MHz        28-28-28-56  (CL-RCD-RP-RAS) / 84-515-280-227-53  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 1633 MHz        26-26-26-52  (CL-RCD-RP-RAS) / 78-478-260-211-49  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 1367 MHz        22-22-22-44  (CL-RCD-RP-RAS) / 66-405-220-179-42  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
       
内存模块特性       
Asymmetrical Module        否
HeatSpreader        不存在

项目        当前值
北桥属性       
北桥        AMD K19.7 IMC
支持内存类型        DDR5-2000 .. DDR5-8400
修订        00
工艺技术        5 nm
Probe Filter        支持, 已启用
       
内存控制器       
类型        Quad Channel  (256 位)
启用模式        Quad Channel  (256 位)
       
内存计时       
CAS Latency (CL)        42T
RAS To CAS Delay (tRCD)        42T
RAS Precharge (tRP)        42T
RAS Active Time (tRAS)        84T
Row Cycle Time (tRC)        125T
Row Refresh Cycle Time (tRFC)        416T, 2x Fine: 416T
Command Rate (CR)        1T
RAS To RAS Delay (tRRD)        Different Rank: 0T, Same Bank Group: 13T, Diff. Bank Group: 8T
Write Recovery Time (tWR)        78T
Read To Read Delay (tRTR)        Different Rank: 14T, Different DIMM: 14T, Same Bank Group: 6T, Diff. Bank Group: 1T
Read To Write Delay (tRTW)        20T
Write To Read Delay (tWTR)        6T, Same Bank Group: 26T, Diff. Bank Group: 7T
Write To Write Delay (tWTW)        Different Rank: 12T, Different DIMM: 12T, Same Bank Group: 19T, Diff. Bank Group: 1T
Read To Precharge Delay (tRTP)        20T
Four Activate Window Delay (tFAW)        34T
Write CAS Latency (tWCL)        40T
Write RAS To CAS Delay (tRCDW)        42T
Refresh Period (tREF)        10126T
Dynamic Idle Cycle Counter        已启用
       
错误修正       
ECC        支持, 已禁用
ChipKill ECC        不支持
RAID        不支持
DRAM Scrub Rate        640 ns       


以上为实机，5600内存，跑5200频率标准时序。
       

zerozerone

项目        当前值
主板       
主板 ID        <DMI>
主板名称        Lenovo ThinkStation P3 Tiny
       
前端总线特性       
总线类型        Intel QPI
外部频率        100 MHz
有效频率        100 MHz
       
内存总线特性       
总线类型        Dual DDR5 SDRAM
总线位宽        128 位
DRAM : FSB        24:1
外部频率        2400 MHz (DDR)
有效频率        4800 MHz
带宽        76800 MB/秒
       
芯片组总线特性       
总线类型        Intel Direct Media Interface v4.0
       
项目        当前值
内存模块       
模块名称        Micron CT48G56C46S5.M16B1
序列号        EAF859A9h (2841245930)
制造日期        第45周 / 2024
模块容量        48 GB (32 banks)
模块类型        SO-DIMM
存取类型        DDR5 SDRAM
存取速度        DDR5-5600 (2800 MHz)
模块位宽        64 bit
模块电压 (VDD)        1.1 V
模块电压 (VDDQ)        1.1 V
模块电压 (VPP)        1.8 V
错误检测方式        无
DRAM 制造商        Micron
DRAM Stepping        42h
SDRAM Die Count        1
Supported CAS Latencies        50, 46, 42, 40, 36, 32, 30, 28, 26, 22
       
内存计时       
@ 2800 MHz        46-45-45-90  (CL-RCD-RP-RAS) / 135-1146-615-531-84  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 2633 MHz        42-42-42-84  (CL-RCD-RP-RAS) / 126-1074-576-498-79  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 2500 MHz        40-40-40-80  (CL-RCD-RP-RAS) / 120-1022-549-474-75  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 2267 MHz        36-36-36-72  (CL-RCD-RP-RAS) / 108-920-494-427-68  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 2000 MHz        32-32-32-64  (CL-RCD-RP-RAS) / 96-818-439-379-60  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 1867 MHz        30-30-30-60  (CL-RCD-RP-RAS) / 90-767-412-356-57  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 1767 MHz        28-28-28-56  (CL-RCD-RP-RAS) / 84-716-384-332-53  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 1633 MHz        26-26-26-52  (CL-RCD-RP-RAS) / 78-665-357-308-49  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
@ 1367 MHz        22-22-22-44  (CL-RCD-RP-RAS) / 66-563-302-261-42  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
       
内存模块特性       
Asymmetrical Module        否
HeatSpreader        不存在


项目        当前值
北桥属性       
北桥        Intel Raptor Lake-S IMC
修订        02
工艺技术        10 nm
VT-d        支持
Extended APIC (x2APIC)        支持
       
内存控制器       
类型        Dual Channel  (128 位)
启用模式        Dual Channel  (128 位)
       
内存计时       
CAS Latency (CL)        40T
RAS To CAS Delay (tRCD)        39T
RAS Precharge (tRP)        39T
RAS Active Time (tRAS)        76T
Row Refresh Cycle Time (tRFC)        526T
Command Rate (CR)        2T
RAS To RAS Delay (tRRD)        Same Bank Group: 12T, Diff. Bank Group: 8T
Write Recovery Time (tWR)        75T
Read To Read Delay (tRTR)        Different Rank: 14T, Different DIMM: 14T, Same Bank Group: 12T, Diff. Bank Group: 8T
Read To Write Delay (tRTW)        Different Rank: 20T, Different DIMM: 20T, Same Bank Group: 18T, Diff. Bank Group: 18T
Write To Read Delay (tWTR)        Different Rank: 12T, Different DIMM: 12T, Same Bank Group: 72T, Diff. Bank Group: 54T
Write To Write Delay (tWTW)        Different Rank: 14T, Different DIMM: 14T, Same Bank Group: 26T, Diff. Bank Group: 8T
Read To Precharge Delay (tRTP)        17T
Write To Precharge Delay (tWTP)        117T
Four Activate Window Delay (tFAW)        32T
Write CAS Latency (tWCL)        38T
CKE Min. Pulse Width (tCKE)        18T
Refresh Period (tREF)        4549T
Burst Length (BL)        8
       
错误修正       
ECC        不支持
ChipKill ECC        不支持
RAID        不支持
ECC Scrubbing        不支持
       
内存插槽       
DRAM #1 插槽         48 GB  (DDR5 SDRAM)
DRAM #2 插槽         48 GB  (DDR5 SDRAM)
       
集成图形控制器       
图形控制器类型        Intel UHD Graphics 770
图形控制器状态        已启用
       

以上实机
5600内存，跑4800，平台固件优化成非标时序。