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[存储] 长鑫ddr5是16nm,长存TiPro9000是294层

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发表于 2025-1-31 11:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
https://www.techinsights.com/blo ... emory-breakthroughs
https://library.techinsights.com ... b=banner3&_gl=1*1pyqzhi*_gcl_au*NTA2MjAzOTE3LjE3MzgyOTMxMTI.*_ga*MTkwMDQ1ODE3MC4xNzM4MjkzMTEy*_ga_WYTJ8Y8DBZ*MTczODI5MzExMi4xLjEuMTczODI5MzE3NS4wLjAuMA..*_ga_778PJV3JJH*MTczODI5MzExMi4xLjEuMTczODI5MzE3NS41OC4wLjA.

挺争气的
发表于 2025-1-31 11:34 | 显示全部楼层
active 232层
发表于 2025-1-31 11:41 | 显示全部楼层
真好,特别期待十年以后的DIY市场会是什么样子
发表于 2025-1-31 12:01 | 显示全部楼层
本帖最后由 uxuey 于 2025-2-1 18:47 编辑

根据初步的报告分析
长江X4 9070 总层数294层,存储层270层左右
传送门:https://library.techinsights.com ... 9-aca2-b7aec7777fa9
长鑫D5是16nm工艺 跳过17nm节点
传送门:https://library.techinsights.com ... sed+from+CXMT+China


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发表于 2025-1-31 12:29 | 显示全部楼层
本帖最后由 uxuey 于 2025-1-31 12:52 编辑


TechInsights预计是270L 实际是267L存储层
目前还是初步 会有详细报告

原文
https://library.techinsights.com ... 9-aca2-b7aec7777fa9
发表于 2025-1-31 12:41 | 显示全部楼层
加油,

国产内存和闪存
发表于 2025-1-31 12:52 | 显示全部楼层
已下单,这绝对得支持
发表于 2025-1-31 20:19 | 显示全部楼层
本帖最后由 uxuey 于 2025-2-1 16:29 编辑

YMTC NAND 部分翻译(by deepseek R1):

TechInsights确认中国长江存储科技有限责任公司(YMTC)最新推出的Xtacking4.x 2yyL 1 Tb 3D TLC NAND芯片是目前商用产品中垂直堆叠层数最高的存储芯片。尽管面临美国严厉制裁,长江存储仍成功将Xtacking4.0架构扩展至2yy层3D NAND器件,这是TechInsights在市场上首次发现的2yy层3D NAND产品(符合3D NAND技术路线图规划)。

从致态TiPro9000 ZTSS3CB08B34MC固态硬盘拆解的Xtacking4.x芯片显示:该芯片采用创新的Xtacking4.x架构设计,包含2yy有效存储层(总层数达到294层,不含SGD),下层150层与上层144层通过晶圆级混合键合技术实现垂直互联。相较于前代Xtacking4.0架构160层TLC产品(含选择栅和虚拟栅共180层,不含SGD),新型号在垂直通道布局上进行了微调,首次实现TLC NAND存储单元密度突破20Gb/mm²行业标杆。经测算有效字线(WL)数量约270条。在美国禁令限制半导体设备进口的背景下,长江存储通过Xtacking4.x技术创新,为突破3D NAND晶圆厂扩建限制开辟了新路径。

更多技术细节请参阅TechInsights专题报告《颠覆性事件:中国正在缩小存储技术差距》中的深度分析。

(注:专业术语处理说明:
1. 保留"Xtacking"、"SGD"、"WL"等专业技术术语,必要时辅以括号说明
2. "2yy"作为未公开具体数值的层数代号予以保留
3. 晶圆键合技术采用"混合键合"行业标准译法
4. 存储密度单位Gb/mm²按国际标准表达
5. 产品型号"TiPro9000 ZTSS3CB08B34MC"保持原文规范写法)

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发表于 2025-1-31 20:20 | 显示全部楼层
本帖最后由 uxuey 于 2025-1-31 21:39 编辑

CXMT DRAM 部分翻译(by deepseek R1):
以下是您提供内容的专业中文翻译:

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在当前DDR5技术占据市场主流的背景下,中国领先的DRAM制造商长鑫存储(CXMT)正式向市场推出16Gb DDR5芯片。本周,TechInsights对一款商用设备进行拆解分析时发现了这一突破。光威DDR5-6000 UDIMM内存条(型号VGM5UC60C36AG-DVDYBN)搭载了16颗长鑫存储生产的16Gb DDR5芯片(见图1)。该芯片尺寸为66.99平方毫米(长8.19mm,宽8.18mm,裸片密封封装),位密度达0.239 Gb/mm²。芯片采用长鑫第四代(G4)先进DRAM工艺,存储单元面积0.0020平方微米,特征尺寸(F)为16.0纳米。相较前代G3工艺(F=18.0nm),单元面积缩小20%(详见表1)。其活性区、字线和位线间距分别为29.8nm、41.7nm和47.9nm,与三星、SK海力士及美光的D1z工艺(F=15.8~16.2nm)水平相当。长鑫存储此前产品涵盖DDR3L(2Gb/4Gb)、DDR4(4Gb/8Gb)、LPDDR4X(6Gb/8Gb)及LPDDR5(12Gb),此次DDR5的发布进一步完善了其产品矩阵。该公司的工艺路线始于23.8nm(D2y)的G1代,随后演进至18.0nm(D1x)的G2代。

**配图说明**
图1. 取自光威DDR5-6000 UDIMM的长鑫存储16Gb DDR5芯片.png
表1. 长鑫存储DRAM工艺代际对比(G1至G4).png

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根据TechInsights《2024年第四季度DRAM市场报告》,DDR5在2024年第二季度出货量已超越DDR4,全年达870亿Gb(DDR4为620亿Gb),预计2025年将增长至1500亿Gb(市占率57%),并持续主导市场至2027年。尽管美国禁令限制18nm及以下DRAM技术的研发,长鑫仍成功基于16.0nm先进制程开发出面向中国本土市场的DDR5产品。

目前,三大DRAM巨头(三星、SK海力士、美光)已采用D1a/D1α及D1b/D1β等更先进工艺(特征尺寸12-14nm)生产DDR5芯片,其中16Gb产品占据主流。国际厂商自2021年启动16Gb DDR5量产,这意味着长鑫存储存在约三年的技术代差。值得注意的是,长鑫跳过17nm(D1y)节点直接切入16nm(D1z)工艺,并正积极研发无EUV**的15nm以下工艺及HBM技术。TechInsights技术分析团队将持续跟踪其材料、工艺集成及芯片设计进展,相关研究成果将陆续发布于TechInsights平台,敬请关注。

**配图说明**
表2. 三星、SK海力士、美光与长鑫存储16Gb DDR5产品对比.png

---

(注:专业术语处理说明:
1. 保留"DDR5"、"Gb"、"nm"、"D1z"等国际通用技术术语
2. "exabit"转换为中文单位时采用"亿Gb"(1 exabit = 10亿Gb)
3. 工艺节点命名规则(如G4、D1x)遵循行业惯例直译
4. 产品型号"VGM5UC60C36AG-DVDYBN"保持原文规范写法
5. 尺寸单位"mm²"、"µm²"按国际标准保留)

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发表于 2025-1-31 20:28 来自手机 | 显示全部楼层
上产能上产能上产能
发表于 2025-1-31 20:31 来自手机 | 显示全部楼层
就差gpu了
发表于 2025-1-31 20:53 | 显示全部楼层
长鑫官方不是说17nm吗?
发表于 2025-1-31 20:58 | 显示全部楼层
俺前不久买的长城SSD,用的颗粒是最新长存Tipro9000同款吗?

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发表于 2025-1-31 21:10 | 显示全部楼层
买了鱼竿和长存的SSD,必须支持国产一下
发表于 2025-1-31 21:15 | 显示全部楼层
本帖最后由 KazamiKazuki 于 2025-1-31 21:19 编辑
岳耳 发表于 2025-1-31 20:58
俺前不久买的长城SSD,用的颗粒是最新长存Tipro9000同款吗?


不是啊。你这个是X2-128L的
发表于 2025-1-31 21:17 | 显示全部楼层
uxuey 发表于 2025-1-31 12:01
根据初步的报告分析
长江X4 9070 总层数294层,存储层270层左右
传送门:https://library.techinsights.com ...

DRAM, 10-20nm 分了1x,1y,1z,1a,1b,1c, 跑的最快的已经在1b了,看数据 CXMT在1z,加油。

NAND,2024年11月传出新闻,300层量产,这YMTC的2yy层还在第一集团,现在NAND行情不好,不知道能把能用国产替代稳住价格,抢一点市场占有率。

Fab是 下金蛋 的 吞金兽。  巨额资金喂养,然后巨额产值,良性循环壮大。
发表于 2025-1-31 21:23 | 显示全部楼层
可惜长江不出4T的tipro9000
发表于 2025-1-31 22:10 | 显示全部楼层
长鑫多整点大容量的,把价格打下来,现在DDR5还是太贵了。。
发表于 2025-1-31 23:12 来自手机 | 显示全部楼层
重点还得是国产化后大规模扩产,把棒子给压死就完事
发表于 2025-1-31 23:15 | 显示全部楼层
TiPro9000出4T我就买根替换7100 4T
发表于 2025-2-1 01:10 | 显示全部楼层
产能多少,啥时候8t的sn640重回1499的价格
发表于 2025-2-1 10:49 | 显示全部楼层
klxq15 发表于 2025-2-1 01:10
产能多少,啥时候8t的sn640重回1499的价格

还是太贵了,4T Gen4 TLC要回到1200的价格才行。
发表于 2025-2-1 10:54 | 显示全部楼层
KazamiKazuki 发表于 2025-1-31 21:15
不是啊。你这个是X2-128L的

请问这个x2-128L的颗粒是不是有什么缺陷呀?
发表于 2025-2-1 11:21 来自手机 | 显示全部楼层
binne 发表于 2025-1-31 21:17
DRAM, 10-20nm 分了1x,1y,1z,1a,1b,1c, 跑的最快的已经在1b了,看数据 CXMT在1z,加油。

NAND,2024年11 ...

长江比棒星和海力士都快,xstacking4.0都上架卖了个把月了,其他两家影子都没有
xstacking这波进步不止是逻辑和控制单元分开了,存储单元也可以分开叠叠乐。。。上300分分钟的事情
发表于 2025-2-1 14:37 来自手机 | 显示全部楼层
wjm47196 发表于 2025-2-1 11:21
长江比棒星和海力士都快,xstacking4.0都上架卖了个把月了,其他两家影子都没有
xstacking这波进步不止是 ...

NAND价格不好,大厂都在减产了,有机会 抢市场份额,加油。
发表于 2025-2-1 14:43 | 显示全部楼层
长鑫是真的牛逼
成功把DDR4市场价打成白菜价。
长储产能不行,被制裁以后,二期工厂被迫停工。
长鑫的产能现在已经整体内存市场的10%,明年会到15%,差不多是老三老四的位置了。
发表于 2025-2-1 14:43 | 显示全部楼层
YMTC是真的可以的
发表于 2025-2-1 15:20 来自手机 | 显示全部楼层
uxuey 发表于 2025-1-31 20:19
YMTC NAND 部分翻译(by deepseek R1):

TechInsights确认中国长江存储科技有限责任公司(YMTC)最新推出的Xt ...

不知道缩小差距在何处,明明就是领先业界的
海力士画大饼今年也要搞xstacking类似物搞到400层去,不知道能不能成。
长存现在还是产能问题
发表于 2025-2-1 15:51 来自手机 | 显示全部楼层
可以啊 国产的都起来了
发表于 2025-2-1 16:19 | 显示全部楼层
wjm47196 发表于 2025-2-1 15:20
不知道缩小差距在何处,明明就是领先业界的
海力士画大饼今年也要搞xstacking类似物搞到400层去,不知道 ...


这次物理层是294L 有效存储层实际是267L
对比X3 9070的232L X4 9070提升到267L
对比X3 9060的128L X4 9060提升到160L
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